mos管输出电容（mos管输入电容）

发布时间：2023-05-11

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本文目录一览：

1、ASEMI中小功率MOS管10N60的功耗(PD)是多少？
2、电容储能mos管另一段一直有输出吗?
3、d4148mos管参数
4、ASEMI的MOS管9N90的输出电容（COSS）是多少？

ASEMI中小功率MOS管10N60的功耗(PD)是多少？

10N60参数描述

型号：10N60

封装：TO-220AB

特性：中小功率MOS管

电性参数：10A 600V

栅极阈值电压VGS(TH)：4V

连续漏极电流(ID)：10A

功耗(PD)：155W

二极管正向电压(VSD)：1.5V

静态漏源导通电阻(RDS(ON))：0.85Ω

脉冲正向电流ISM：40A

反向恢复时间(Trr)：600nS

输出电容(Coss)：180pF

贮存温度：-55~+150℃

引线数猛乱量：3

10N60属于TO-220AB封装系列。它的本体枝知档长度为15.87mm，加引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为猛和2.54mm。

电容储能mos管另一段一直有输出吗?

电容储能mos管另一段一码扒直有输出，MOS管的驱动电路的时候，这个MOS管的gs端有一个寄生结电容，通常在设计电路时让这携罩个辩模闹gs端开通后，当关闭时还需要把这个Gs端的电容的电放电，那么使用一个电阻，

mos管输出电容（mos管输入电容）

d4148mos管参数

D4148MOS管是一和薯种N沟道MOS场效应管，其参数如下：

1. 最大漏极-源极电压（VDS max）：30V

2. 最大栅极-源极电压（VGS max）：20V

3. 最大栅极功率耗散（PD max）：250mW

4. 最大漏极电流（ID max）：300mA

5. 典型的栅极截止电压（Vth）：-0.8V

6. 典型的漏极电阻（Rds on）：7.5Ω

7. 栅春棚纯极电容（Cg）：33pF

8. 输出电容（Coss）：18pF

这些参数仅扒咐供参考，实际应用时应根据具体的电路设计和使用条件进行合理的选择和调整。

ASEMI的MOS管9N90的输出电容（COSS）是多少？

型号运虚：9N90

漏源电压（VDSS）：900V

栅源电压（VGSS）：±30V

连续漏极电流（ID）：9.0A

脉冲返或漏极电流（IDM）：旁世燃36A

功耗（PD）：49W

漏源漏电流（IDSS）：10uA

栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.4Ω

输出电容（COSS）：175pF

漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V

反向恢复时间（trr）：550nS

9N90封装尺寸：

封装：TO-220AB

总长度：28.8mm

本体长度：15.87mm

引脚长度：12.93mm

宽度：10.16mm

高度：4.7mm

脚间距：2.54mm

9N90特征：

超低栅极电荷（典型值为45 nC）

低反向传输电容（CRSS=典型值14 pF）

快速切换能力

雪崩能量指定

改进的dv/dt能力，高坚固性

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mos管输出电容（mos管输入电容）

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