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1、三极管的特性:发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。
2、只要有一个很小的基极电流,三极管就会有一个很大的集电极电流和发射极电流,这是由三极管特性所决定的,不同的三极管有不同的电流放大倍数,所以不同三极管对基极电流的放大能力是不同的。
3、三极管最基本的和最重要的特性:晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。
4、三极管特性2种,输入特性:IB与VBE的对应关系。输出特性:IC与VCE的关系。输出特性是一簇曲线,不是一根,不同的IB对应不同的IC,所以有好多根输出特性曲线。
5、三极管的特性:第一个特性,流控特性。我们把BE之间流过的电流称之为,为基极电流,在C极(集电极)处,CE之间的电流称之为。也就是说,有电流的时候,也是有电流的;没有电流,也是没有电流的。
1、三极管通过控制不同区域电子浓度,实现控制电流的目的。当在基环节施加一个电压时,基区向发射极注入少量电子,这些电子穿过极薄的基区并扩散到集电极中,形成集电极和发射极之间的连通通道。
2、三级管工作原理图:对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
3、三极管的工作原理:三极管,全称为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
4、三极管工作原理 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。
随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜,间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外,还具有电流增益β,并且,β值随光电流的增大而增大。
光敏三极管从光谱上去分有三类,可见光接收(例如 LXD/GB5-A1ELS),可见光到近红外接受(例如 LXD/GB5-A1DPS),红外接收(PT204-6C) 。
伏安特性 光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。光电特性 光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时,光电流IL与光照度之间的关系。
.光电转换原理根据PN结反向特性可知,在一定反向电压范围内,反向电流很小且处于饱和状态。此时,如果无光照射PN结,则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限,反向饱和电流保持不变,在光敏二极管中称为暗电流。
1、光电三极管也是一种晶体管,它有三个电极。当光照强弱变化时,电极之间的电阻会随之变化。光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的光电器件,它本身具有放大功能。常见的光电三极管外形如图l所示,文字符号表示为VT或V。
2、光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的光电器件,它本身具有放大功能。光电三极管也是一种晶体管,它有三个电极。当光照强弱变化时,电极之间的电阻会随之变化。
3、三极管的特性:发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。
4、光敏三极管(Phototransistor)和普通三极管相似,也有电流(Current)放大作用,只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制,同时也受光辐射的控制。
1、光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出,随着的光照强度的增加,光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度,则电阻值变化减小,然后逐渐趋向平缓。
2、光敏电阻的光照特性 光电流随着照度的变化而改变的规律称为光照特性。不同类型的光敏电阻的光照特性不同。由实验可知,光电流随着照射强度一起增大或减小。
3、光电特性包括液晶、LED、光电管、光耦等方面。由光的作用产生的电叫光电。以光电子学为基础,综合利用光学、精密机械、电子学和计算机技术解决各种工程应用课题的技术学科。
关键词:三极管特性 三极管的伏安特性 电阻 三极管具有 三极管的工作原理 三极管工作原理 三极管的电流放大倍数 三极管的特性 光敏三极管 光电三极管 晶体三极管
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