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1、移项器应用移相器在雷达、导弹姿态控制、加速器、通信、仪器仪表甚至于音乐等领域都有着广泛的应用。
2、一种用以调节交流电压相位的装置。移相器一般是多相的，其结构如图所示。它和一台被旋转的绕线式三相异步电动机相似。通常定子绕组作为原绕组，转子绕组为副绕组。在移相器的转子转轴上装有一套蜗轮蜗杆。
3、移相触发是早期触发可控硅的触发器。它是通过调速电阻值来改变电容的充放电时间再来改变单结晶管的振荡频率，实际改变控制可控硅的触发角。早期可控可是依靠这样改变阻容移相线路来控制。
4、相敏检波电路的原理 相敏检波电路的选频特性是指它对不同频率的输入信号有不同的传递特性。以参考信号为基波，所有偶次谐波在载波信号的一个周期内平均输出为零，即它有抑制偶次谐波的功能。
5、移相器的作用：是将信号的相位移动一个角度。运用移相器规约敏感联络线的潮流，保障电压稳定性不因联络线连锁跳闸、相继退出而遭到破坏，可以明显提高电压稳定极限。
可控硅的触发是门极加上对阴极为正的触发脉冲，触发脉冲的产生是用BT3BT35等双基极二极管组成的张驰振荡器，不是三极管。
你好：——★这个电路的触发回路有问题：脉冲变压器二次侧的触发电流经过可控硅控制极、6～12V电池形成回路。改成24V时，触发电压低于24V，所以不能触发。
触发部分的设计要看可控端的电压和电流。举个例子：如果可控硅两端的电压最大值是311V，而它的控制电流要在15mA以下，你可以大概选个中间值，就6mA吧。那么用311V/50K=22mA。
单向可控硅触发电路非常多，需根据具体需求选择。上图是其中一种。
单向可控硅调压电路 可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。从图中可知，二极管D1D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
三相半波可控整流电路是一种通过调节可控硅导通角度来实现半波整流的电路。
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。
VTVRC T是电源变压器，初级220伏次级9伏，通过4个二极管组成整流桥全波整流输出9伏直流电压，经过VW稳压管输出6伏给单结晶体管V提供工作电压。RC是单结晶体管的充电放电回路，VT是KP20A可控硅。
晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在5V直流电源的正极(这里使用的是KP1型晶闸管，若采用KP5型，应接在3V直流电源的正极)。
在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。
双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
可控硅的工作原理是：当电压施加到可控硅的两个极端时，可控硅内部的晶体管就会发生变化，从而改变晶体管的导通状态，从而控制电流的流动。
你说的是点焊机么？先将380V的电涌变压器降压，以换取大电流，然后经过可控硅控制电流的通断。给一个触发信号时，就可以通电焊接了。可控硅整流器件是一种非常重要的功率器件，可用来做高电压和高电流的控制。
可控硅工作原理及作用 可控硅的三个电极分别称为阳极阴极和控制电极。当设备的阳极连接到负电位时。当正电位加到器件的阳极时，在一定的电压范围内，器件仍处于关断状态，阻抗很高。
可控硅原理是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。
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