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暗光返并派流ID和光电流IL产生影响。温漏贺度蔽伍特性:温度对光敏三极管的暗光流ID和光电流IL都会产生影响。光敏二极管的暗电流随温度变化而变化,如硅光敏二极管的IB值,在环境温度升高30-40℃时将增大10倍。
光敏二极管的结构与工作原理 光敏二极管又称光电二极管,它与普通半导体二极管在结构上是相似的。下图是光敏二极管的结构图。在光敏二极管管壳上有一个能射入光线的玻璃透镜,入射光通过透镜正好照射在管芯上。发光二极让亏管管芯是一个具有光敏特性的PN结,它被封装在管壳内。发光二极管管芯的光敏面是通过扩散工艺巧竖在N型单晶硅上形成的一层薄膜。光敏二极管的管芯以及管芯上的PN结面积做得较大,而管芯上的电极面积做得较小,PN结的结深比普通半导体二极管做得浅,这些结构上的特点都是为了提高光电转换的能力。另外,与普通半导体二极管一样,在硅片上生长了一层SiO2保护层,它把PN结的边缘保护起来,从而提高了管子的稳定性,减少了暗电流。 光敏二极管与普通光敏二极管一样,它的PN结具有单向导电性,因此,光敏二极管工作时应加上反向电压,如图所示。当无光照时,电路中也有很小的反向饱和漏电流,一般为1 * 10-8 -- 1X10 -9A(称为暗电流),此时孝滑大相当于光敏二极管截止;当有光照射时,PN结附近受光子的轰击,半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子一空穴对O这些载流子的数目,对于多数载流子影响不大,但对P区和N区的少数载流子来说,则会使少数载流子的浓度大大提高,在反向电压作用下,反向饱和漏电流大大增加,形成光电流,该光电流随入射光强度的变化而相应变化。光电流通过负载RL时,在电阻两端将得到随人射光变化的电压信号。光敏二极管就是这样完成电功能转换的。
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光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米。
光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1微安),称为暗电流。当有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子---空穴对,称为光生载流子。
它们在反向电压作用下参加漂移运动,使反向电流明显变大,光的强度越大,反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负辩判猛载,携桥负载上就获得了电信号,而且这个电信号随着光的变化而相应变化。
光敏二极管、光敏三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结,不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线冲型照射,实现光电转换,在电路图中文字符号一般为VD。光敏三极管除具有光电转换的功能外,还具有放大功能,在电路图中文字符号一般为VT。光敏三极管因输入信号为光信号,所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光敏二极管一样,光敏三极管外壳也有一个透明窗口,以接收光线照射。
关键词:二极管的 电阻 光敏三极管 二极管的结构 二极管特性 半导体二极管 电子元器件 光敏二极管 二极管截止 光电二极管 普通二极管
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