可控硅阻容电路（可控硅阻容电路原理）

发布时间：2023-06-26

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可控硅不加阻容吸收可能会导致可控硅无法正常工作、电压出现异常。阻容吸收是用于吸收和消耗电路断开时感性负载产生的自感电动势，可防止过电压造成的负载绝缘击穿。可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

电磁阀内的电感线圈是储能元件，开关电磁阀瞬间电压突变，会产生高电压脉冲，其能量足以击穿可控硅。

电容的容值不足以平滑电路中的电压波动，导致电路中的电压不稳定，影响电路的正常工作。电容的寿命会受到影响，容易出现老化和失效的情况，从而影响电路的使用寿命。

阻容电路有吸收高次谐波和提高可控硅抗干扰能力；而压敏电阻在输出电压出现异常升高能保护可控硅。这两种措施都是用来保护可控硅可靠工作而设的。

可控硅阻容电路（可控硅阻容电路原理）

1、阻容保护电路出现短路电流的原因：保护电路中的电容耐压太低，被击穿短路。在可控硅的控制电路中，常常在可控硅的两端并联RC串接的保护电路，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

2、采用软导线，也是造成变压器抗短路能力差的主要原因之一。由于早期对此认识不足，或绕线装备及工艺上的困难，制造厂均不愿使用半硬导线或设计时根本无这方面的要求，从发生故障的变压器来看均是软导线。

3、如果变压器内部短路造成故障，其原因有：最多见的是单相线圈的线匝之间、层间的短路，一旦短路电流很大时，线圈在电动力的作用下，严重变形，进一步扩大故障。这种短路故障只能用差动保护和变压器本身的重瓦斯动作来保护。

1、过电压保护过电压可能导致晶闸管的击穿，其主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或晶闸管在导通与截止间的转换。

2、为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

3、可控硅损坏，外部负载问题。可控硅损坏，ne555可控硅是一种半导体器件，如果长时间工作在高温、高电压等恶劣环境下，会导致可控硅损坏，从而影响可控硅触发电路输出电压低。

4、这种情况可以并联，但是作用不大。因为可控硅元件离散性大，不会同时导通，很有可能有一个根本不会导通，也可能因为驱动功率不足导致两个都不导通或者导通不可靠，就算能导通也搞还要加均流电阻。

5、所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。