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1、mos管的波形有跳周期的现象,不知道是不是示波器显示的问题,你可以周期打小看看,这些空隙的地方会不会消失。
2、梯形是驱动速度不足的现象,可以在G极电阻并一个反向二极管加速关断,或在G极加一个图腾。
3、这个问题不太好解决,换一个内阻比较小的开关管应该会好一些。但如果成本压力比较大,可以在开关管驱动电路上电阻上加一个反向的开关二极管。应该也会好一点。
4、从电路及波形图分析 如果你在检修时所换开关管与原型号相同应找吸收电路即图中的几个电容器、吸收二极管。
1、方波的话需要用芯片,比如说单属性的ne555或者双输出的3525或tl494都是比较常见的,输出的小信号接上图腾以后输出给mos管就可以了。
2、◆你得给出个电路图来,才能帮你准确分析原因。但看这个图太笼统,只能猜测说【可能与耦合电容的质量或大小有关】。
3、梯形是驱动速度不足的现象,可以在G极电阻并一个反向二极管加速关断,或在G极加一个图腾。
4、在R1栅极(你这是基极)旁对地并联一个电阻R,R的数值取二倍的R1。
5、不加MOS管,电源起不来,哪有波形啊。你想问的应该是加了MOS管对那个方波有什么影响吧。理论上说由于MOS管的GS之间有个寄生电容,所以波形上升沿与下降沿会变缓,但实际我测试过程中没有发现明显的畸变(大约50KHz)。
1、看着貌似是一种寄生振荡,可用施密特整形驱动试试可否改善。
2、梯形是驱动速度不足的现象,可以在G极电阻并一个反向二极管加速关断,或在G极加一个图腾。
3、G,S之间加电阻是为了泄放G级的电荷。当G级没有信号输入时,G级残压电荷,或是静电累积的电荷,就会在gs直接形成电场,差生电势差,而gs之间的门槛电压是很低的,容易导通,继而ds也导通。
4、是的,G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
5、上图是IGBT的电流与电压随门极电压的变化波形。你说的门极电压虽然是方波,那是理想的,不理想的情况如上图所示。中间那一段就是IGBT的导通波形,MOSFET的波形也极为相似。
6、G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。
关键词:mos管 寄生电容 电容器 电阻 二极管加 一个电阻 开关电源mos管 加电阻 mos管驱动 电容 耦合电容 电容的 开关二极管
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