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场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
场效应管的作用 场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
场效应管工作原理是场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电。它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
可以启动发动机。常开键连接汽车发动机启动电机的控制回路，常闭键连接汽车主电源。当汽车发动机运转时，只需按下启动按钮，起动机就会电动运转。当按钮松开时，常闭触点连接到汽车的主电路。
场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
在这里应用中，使用的是低压MOS管。低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
高压mos管与低压mos管的差异是：耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
场效应管工作原理是场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电。它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
场效应管工作原理用一句话说，就是漏极与源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
场效应管是由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件。
为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先理解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们晓得在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流经过。
年TI杯大学生电子设计竞赛A题：降压型直流开关稳压电源任务，以TI公司的降压控制器LM5117芯片和CSD18532KCS MOS场效应管为核心器件，设计并制作一个降压型直流开关稳压电源。
buck-boost斩波器不是buck和boost的组合，它是一种基本的斩波器类型，它的特点是输出电压既可以高于输入电压，也可以低于输入电压，并且其输出电压的极性与输入相反。常见的单端反激式开关电源就是buck-boost斩波器的变形。
TPS5401器件是一款42 V，0.5 A，降压型稳压器，集成了高端MOSFET。电流模式控制提供简单的外部补偿和灵活的元件选择。在无负载输出稳压电压时，低纹波脉冲跳跃模式可将电源电流降至116μA。
主要成分：硝苯地平。化学名称：2，6-二甲基-4-（2-硝基苯基）-1，4-二氢-3，5吡啶二甲酸二甲酯。性状：为圆形双凸的坚硬玫瑰红色薄膜衣片。适应症：高血压、冠心病、慢性稳定型心绞痛(劳累性心绞痛)。
三相交流380V，45KW的电动机，采用星三角降压启动时，热继电器选用JR36-160 75-120A。参数计算如下。
单端反激型开关电源本质上属于Buck-Boost拓扑。
1、场效应管工作原理是场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电。它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2、场效应管是由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件。
3、场效应管工作原理用一句话说，就是漏极与源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
4、场效应管（Field-EffectTransistor，FET）是一种电子器件，其工作原理是通过控制一个电场来控制传导。FET有三个极，包括源极（S）、漏极（D）和门极（G）。
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