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1、电阻选择几十到几百欧的都可以，电容选择几KP的。最好用示波器对比下可控硅两端的波形，在进行参数微调。
2、阻容吸收电流计算 电阻10欧姆，电容0.47微法。并在可控硅两端，可控硅输入电压1140V。想知道吸收高压瞬间电流时怎么计算的。... 电阻10欧姆，电容0.47微法。并在可控硅两端，可控硅输入电压1140V。想知道吸收高压瞬间电流时怎么计算的。
3、它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。100a可控硅得需要调整电阻300到500欧姆。
4、到500欧。连接变压器和可控硅为100A电流，电阻需要300到500欧才可以位维持正常运行。变压器就是一种利用电磁互感应变换电压、电流和阻抗的器件。
1、随后断开AG极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节5V干电池，以提高触发电压。
2、TYN0512，这是只单向可控硅。05，代表平均电流5A、12，代表耐压1200V。1 3脚阻值89欧，正常，但不一定都是好的。有可能2，3短路，或断路。
3、以上如果测量的是双向可控硅，则的两次测量可控硅都能导通并维持。
4、晶闸管的导通电阻是个非线性数字，一般为2V以下。
5、双向可控硅其G极与T1极是相通的，再根据其双向导通的特性作进一步判别.具体方法如下：用指针万用表R×1Ω档测三引脚间阻值，与其余两脚均不通（正反阻值达几百KΩ以上）的为T2极。
1、WESTCODE公司出的N1467NS200型号晶闸管能过平均电流1467A，导通电阻为0.272毫欧。N3012ZC200过平均电流3012A，导通电阻为0.16毫欧。N4085过平均电流4085A，0.07毫欧。
2、可控硅内阻在20欧左右。根据查询相关信息显示，因为如果电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏，20欧合适。
3、可控硅导通电压约2v，饱和导通电流不确定，所以无法计算。1000A是最大饱和导通电流，就是说，此时电阻是2/1000Ω=0.002Ω 当然实际饱和导通电流介于最小和最大之间，所以就要看它正常工作时的设计电流了。
4、不是这样计算的。600v只是可控硅可以承受的最大反向电压。在其通过20A电流时，可控硅两端的电压降是没有600v的，可能只有比如0v。所以，可控硅的导通电阻是非常小的。
5、安培以上的叫大功率可控硅，一般把5安培以下的叫小功率可控硅大功率可控硅测量法分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
电压变小。晶闸管阻的大小值是于电压呈正比例的，所以晶闸管阻值变小是因为电压变小导致的。晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。
这是因为可控硅在未触发或未激活的情况下，应该是一个高阻值状态，阻止电流通过。当可控硅被触发或激活时，阴极到阳极之间的阻值会显著减小，使电流可以通过。这时，可控硅处于导通状态，可以实现电力控制和调节的功能。
降低了。可控硅整流器是一种电子器件，可以控制电流的流动方向和大小。在整流过程中，可控硅会使电流只在一个方向上流动，从而将交流电转换为直流电。由于电压的大小与电流的方向有关，因此在整流过程中，电压通常会被降低。
电压降低百分之五十，功率降低百分之七十五。P=UI 电压降低一半电流也减小一半，功率只有原来的四分之一。
你说的是它本身电阻还是外置电阻？本身电阻没有办法，如果没损坏，只能增加触发电流，外置电阻小，可能会使可控硅导通时间缩短。
触发信号撤去，可控硅将不能维持继续导通，无法做出判断。因此，指针表的其它电阻档和数字万能表的电流太小，是不能这样检测的。双相可控硅检测是一样的，只是因为它可以正触发也可以负触发，就是表笔怎么接，都能触发的。
可控硅阴极和阳极之间的阻值越大越好。阴极和门极之间的阻值一般为15~30欧姆，过大和过小都不好。
可控硅内阻在20欧左右。根据查询相关信息显示，因为如果电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏，20欧合适。
若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。
当可控硅被触发或激活时，阴极到阳极之间的阻值会显著减小，使电流可以通过。这时，可控硅处于导通状态，可以实现电力控制和调节的功能。具体的阻值取决于可控硅的型号、尺寸和工作参数等因素。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
可控硅K、G电阻。K、G 之间的值分两种，第一种是单向的，K、G之间就是一个PN结的压降，第二种是双向的。TG/G、T1 之间的值用万能表测试出来是阻值。正反都一致。阻值大小与耐压没有直接关系。
a可控硅得需要调整电阻300到500欧姆。
可控硅内阻在20欧左右。根据查询相关信息显示，因为如果电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏，20欧合适。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
随后断开AG极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节5V干电池，以提高触发电压。
若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。
加入输出100A的调节，控制环节，采用变压器就用可控硅整流；采用开关逆变，就控制逆变变压器的输入脉冲的脉宽。再就是要有一个精密的电压基准源，接在100A输出回路的取样电阻，要由锰铜制成的，温度系数要小。
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