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输出尽可能大的功率。本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。
该电路由电路稳压电源模块、带阻滤波模块、电压放大模块、功率放大模块、AD转换模块以及液晶显示模块组成，图1所示是其组成框图。
较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。
Q1Q2是两个反相器，即Q1Q2必须工作在开关状态，饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。
电路原理图：单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。
不一定会击穿，击穿期间流过的电流的功率适当，晶圆产生的温度没有超过它能承受的高温，就不会坏。电流和时间的乘积产生热量，MOS有个热阻。。
在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。
N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。
当然会击穿了，谁告诉你通常只考虑栅源电源了，漏源电压就不考虑？没有像你说的考虑栅漏电压的，厂家给出的都是漏源的耐压值，在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。
功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。MOS管比较抽象，是因为绝大部分学校对于MOS的教学比较粗糙，很少教。MOS管特别怕静电，要是不小心，就容易坏，比三极管要难使用。
你更换一个别的场效应管试试（管子内部没有二极管的那种）。放大信号没出来就被二极管给干掉一半了。
三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。MOS管灵活性比三极管好。在工艺上MOS管更易于集成。MOS管导通时导通压降小（接近于0 V，而三极管工作于放大状态大于0.3 V）。
1、mos管的作用如下：MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。
2、MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。
3、MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
4、MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。
5、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
6、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。
MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
MOS管和BJT都有线性工作区和饱和区，当其工作于放大状态时处在线性区，相应的输入输出量成线性关系；而位于饱和区的输入输出不成线性关系。
三极管是电流控制型器件。真正要弄明白三极管的工作原理要学量子力学，固体物理学，半导体物理学，晶体管原理4门课 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。
当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。作用：可应用于放大电路。
通过对实验箱上结型场效应管的测试认识N沟道J EET场效应管的电压放大特性和开关特性。
关键词：保护二极管 继电器 驱动mos管 电阻 均衡电阻 mos管 电容 偏置电阻 导通电阻 三极管放大电路 单片机驱动mos管
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