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PNP三极管的三级电压的关系是：UcUbUe 中间那个肯定是基极，且有锗三极管的VBE=0.2V，硅三极管的VBE=0.7V……有了这些基础知识就可以判断。一般用硅的，就是0.7V。
发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。
三极管的工作电压，是指集电极发射极之间的电压；三极管工作电流，是指发射极电流。由于三极管型号很多，各种型号的参数区别，工作电压和电流是其中两项重要指标。集射电压等级，从30V开始，高的可以达到1000V，甚至更高。
由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
1、一只三极管是由两个PN结组成。因此，硅材料三极管需要4V以上才能导通；锗材料三极管需要0.6V以上。三极管导通后，它的压降就等于该管本身的饱和压降了ces，通常很小、只有零点几伏了。
2、三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。
3、三极管要处于放大状态，必须发射结处于正偏、集电结处于反偏。0.7V是发射结的导通电压。发射结加上1V电压，那就会产生很大的基极电流将发射结烧坏。
1、三极管基极工作电压就是0.7V，但是区分三极管的工作状态是在线性区（放大状态），还是在非线性区（开关状态），要看各极的电流与电压，而不单是电压。
2、硅材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.5～0.7V，处于正向偏置。锗材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.1～0.3V，处于正向偏置。
3、硅管与锗管的基极与发射极电压不同，分别是0.7V 0.2--0.3V 。集电极与发射极电压可以是0--晶体管的集电极与发射极的工作电压的上限值。
4、在发射极电压为零（地）时，放大区：硅管：三极管基极电压一般为0.7伏，偶然可低于0.7伏但不会低过0.6伏。发射极电压一般为1伏以上。.锗管：放大区三极管基极电压一般在-0.15至-0.2伏电压之间。
5、工作中的三极管，基极和发射极间的电压硅管约0.7伏，锗管约0.3伏；放大区的电压为：电源电压减0.7伏（硅管），（锗管减0.3伏）；饱合区电压硅管小于0.7伏，锗管小于0.3伏。
6、：对硅管，PNP三极管基极供电电压为－0.7V，NPN三极管为＋0.7V.2：PNP三级管的正偏指的是基极的电压小于发射极的电压，NPN三极管正好又与之相反。3：NPN三极管也好，PNP三极管也罢，两者都不能用交流电。
1、三极管的工作电压，是指集电极发射极之间的电压；三极管工作电流，是指发射极电流。由于三极管型号很多，各种型号的参数区别，工作电压和电流是其中两项重要指标。集射电压等级，从30V开始，高的可以达到1000V，甚至更高。
2、c1815三极管GR938：C1815是日本公司生产的NPN三极管。其耐压值为45V，Pcm为450mW，Icm为150mA。后面的GR是英语单词Green（绿色）的缩写，其用来表示管子β值的大小（以前国产的三极管通常在管子顶部点上色点来表示β大小）。
3、CW7812是国产779系列三端稳压集成电路。最大输入电压：14V至19V；额定工作电流5A；输出电压12V；使用时须安装散热片，防止过热损坏电路。
对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区(N型，自由电子极多)向基区发出的电子构成的。
三极管基极工作电压就是0.7V，但是区分三极管的工作状态是在线性区（放大状态），还是在非线性区（开关状态），要看各极的电流与电压，而不单是电压。
发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。
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