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mos管与可控硅(moc3063可控硅电路)

发布时间:2023-05-16
阅读量:165

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可控硅、MOSFET、IGBT、GTO是电压触发还是电流触发,它们在作用上有什么区别与联系

可控硅、GTO是电流触发,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。

MOSFET和IGBT是电压控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高,后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。

它们共同的作用就是可以用较小的电流(或电压)去控制较大的桥山戚电流,同时都具有单向导电性,均可作为整流和逆变元件使用,。

但相比之下,可控硅的应用范围相对狭窄,但因为这些器件中,可控硅是最廉价的,工艺成熟,可做成高压、大电流,所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。

IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性,所以被唯缓广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。

扩展资料

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,敏陵共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如右图所示。双向可控硅:双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管。

这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

今日半导体元件的材料通常以硅为首选,但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程,当中最著名的例如IBM使用硅与锗的混合物所发展的硅锗制程。

而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料,如砷化镓,因为无法在表面长出品质够好的氧化层,所以无法用来制造MOSFET元件。

参考资料:

百度百科-可控硅

百度百科-MOSFET

百度百科-IGBT

请问什么场合下mos管可以替代三极管?可控硅里的三极管可以用mos管替代吗?

MOS管是电压控制器件,三极管是电流控制器件。控制原理不一样,MOS管不能代替三极管。

当MOS管有电流输入时,MOS管内部会对电流进行锁存,与至于电流不断增大,会烧掉MOS管。

可稿返薯控硅世颤里的三极管键者也一样,不能用MOS代替。

MOS 管 场效应管 晶闸管 可控硅 问题

MOS管与场效裂漏腊拆应管是一个概念。MOS管是全控型的,是电压驱动的;晶闸管是半控肆局烂型的,由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。MOS管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差,一般10V左右。

可控硅与MOS管有什么区别??

区别很大。最大的区别关断的方式不同,MOS管撤掉栅源电燃芦压就要辩段森关断,而可控硅需要负载电流为0,然后自动判断,所以可控硅大部分应用在脉动的直流或携亩交流电中。一下子说不清

可控硅与M0S型场效应管比较哪个开关速度更高?

口红就上就绿差源物色开关,你就就警虚液告了他们的墙壁,一是不一样的,有的是单向的,是双向的,他们的调和比例是裂余一

请问MOS管,IGBT,可控硅三者作为开关元件的区别是什么?分别都适用于哪些场合?

MOS管是场效应管,IGBT是复合管前管是裤薯差场效应管,后管是NPN关,可控硅是二极管类,MOS管高阻输入,IGBT是高频大功率输出,可控硅可作交、直流胡皮手让开关,MOS管,IGBT只用直流

关键词:mos管 双向可控硅 可控硅的 可控硅 晶闸管可控硅 三极管可 关断可控硅

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