mos管的原理图（mos管原理图分析）

发布时间：2023-06-27

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是的！AO3401在这个电路中是起到开关作用，当VBUS端输入低电平时，Q101P沟道VMOS管AO3401的2脚栅极也为低电平，于是，1脚D漏极与3脚源极之间导通，将+5V VCC连接到VBUS端。

原因就在于它的源极S是连接在VDD上，而漏极D是接地的。通过输入端两个串联电阻的分压，栅极G的电位是低于源极的，这样就使得Ugs＜0，适当调节分压电阻值，可达到Ugs≦UTP，PMOS管就导通了。

改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。

三极管常用于数字电路的开关控制。MOS管AO3401用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流敏感的地方。

mos管的原理图（mos管原理图分析）

可行的。S接VCC G接控制管脚，如果你是51类的单片机，最好在GS之间接一个上拉电阻。D就是受单片机控制了。

R5+LED1 可以换成需要控制的负载，电压根据负载电压。如果控制电流比较大（ 3A ) 可以用右图， R5+LED1+LED2+LED3 可以换成需要控制的负载，电压根据负载电压。

D5和D8应该是稳压管，P0.1是控制输出的，运放是过电压保护的，P0.2检测是否过压保护电路动作，只是我分析的情况，可能水平有限有分析错误的地方谅解。

1、IR2110是一款高低侧驱动的MOSFET和IGBT驱动器。使用IR2110驱动单个MOSFET管的基本步骤如下：连接电源：将VCC引脚连接到5V或12V的电源，将COM引脚连接到地。

2、IR2110采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。

3、IR2110的高端驱动电平(6脚与5脚)相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动，即用1脚和2脚，换作LIN给PWM信号。

1、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

2、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。

3、不是栅-漏吧，应该是漏-源才是。这个是在制造过程中，MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起，而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS：不是故意加上去的。

4、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。