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另外MOS管的 输入阻抗 接近无穷，所以最大程度的分压，用作开关静态时，漏电小，功耗小。当然，这里面还有个成本问题，相对来说，三极管是最便宜的，mos管次之，IGBT就贵很多了。
三极管和MOS管做开关用时可用以下两种方法来区别。工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。
军工级芯片：一般范围为-55℃至+150℃；要根据产品的使用场合选择合适的芯片 根据开关频率选择 三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数，如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。
1、在电动车充电器这个电路里MOS管起着开关作业，如果你对开关电源的电路熟悉，你应该知道这个管子在电路里的重要性。
2、MOS管是驱动部分的开关管。主要关注耐压，耐流值。还一个就是开关速度。
3、没有。电动车控制器的那一排管是场效应管，也叫MOS管，电动车控制器的mos管没有其它叫法，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。有许多参数会影响开关的性能，但最重要的是栅极/漏极，栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容器在设备中产生开关损耗，因为每次开关时都会对其充电。
没有关系。mos管的耐压是指其源极和漏极之间最大可承受的电压，峰峰电压是指交流电信号峰值与峰值之间的电压值，耐压高的mos管能承受更高的电压，其耐压和峰峰电压之间没有直接的量化关系。
MOS管优点：电压控制；控制方式比较方便。体积小，重量轻，寿命长。输入电阻高，噪声低，热稳定性好，抗干扰能力强，功耗低。缺点：熟悉的人比较少；（相比三极管而言）。对静电比较敏感，容易被静电击穿。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。法则之二：确定MOS管的额定电流 该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
还不错。龙腾mos管具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好等特点，已广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制等行业领域。
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
1、主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。
2、很简单，开关速度取决你驱动电流的大小。如果有驱动电阻，减小驱动电阻就可以增加打开速度，如果没有驱动电阻的话就得更换MOSFET了，选择Cgs小的，打开速度会更快。关闭的话最好外加电路。
3、MOS管有电容效应，栅极串电阻是调节RC常数，控制管的开通延时，电阻上并联二极管，是为了及时让栅极的电荷释放掉，是管子正常关闭，这种二极管要用快恢复二极管。
4、功率mosfet 的三个端口，G极，D极，S极。G极控制mosfet的开通，关断，给GS极之间加正向电压(高电平)，达到导通电压门槛值之后就能导通。同理，给一个低电压(低电平)mosfet就能关断。
5、MOS管的完全关断很不容易，你这样肯定不行，形式上关断后，漏电流足够点亮LED了。如果想比较好的关断，需要用到负电压。
1、提高MOS管开通速度，降低其关断速度。主要还是降低MOS管的开关损耗。
2、其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。
3、mos管导通时间与gate端电压上升速度关系是当在mos导通，Source电压升高后，自动将gate极电压升高，便可使mos保持继续导通。
4、等效电容相对于开关电路来说是可以忽略的（除非频率特别高），MOS管属压控原件，对于一般开关电路开关速度应该差不多。
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