mos管计算公式（mos管计算题）

发布时间：2023-06-28

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MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。

用功率和效率算出初级电流的峰值，然后以峰值电流乘以这个电阻得到电压（一般用一个小的RC来消电压尖峰），这个电压有一些芯片是1V，也就是说你的峰值电流乘以这个电阻为1（视芯片而定）。

Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

第一种：可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton 其中：Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。Tr：上升时间。

脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。

mos管计算公式（mos管计算题）

1、mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

2、我现在用的是SN03A，一般是先算出初级的峰值电流，SN03A的CS引脚电压是0V，然后初步算出电阻。用0V/Ipk。这只是一个初步计算出来的值，在实际的应用中，再做调试。

3、开关电源中MOS的源(S)极的那个下地电阻是过流保护的取样电阻，它的取值应该与过流设定值和芯片的保护阀值电压有关，一般计算应是：电阻值=芯片保护阀值电压/过流电流设定值。

MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。

MOS管的输入电阻很高是因为其输入端的门极是一个金属氧化物层（MOS）薄膜，相对于BJT（双极型晶体管）的PN结，MOS管的氧化层薄，所以输入电阻很高。具体来说，MOS管的输入电阻由金属氧化物层（MOS）的电容和漏电阻值组成。

为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。

光学的方法，利用硅和氧化硅的折射率的差别，从而使圆偏光变成椭偏光，利用软件来计算，可以得到氧化层的厚度+周期厚度的形式，再根据简单的推断，可得氧化层的厚度，在精确调节光路的情况下可以得到1nm的精确度。

对于一个成熟稳定的工艺和器件基本结构，器件阈值电压的调整，主要通过改变衬底掺杂浓度或衬底表面掺杂浓度进行。衬底表面掺杂浓度的调整是通过离子注入杂质离子进行。