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1、三极管超过（集电极最大允许电流 Icm ， 或 反向击穿电压BVceo ， 或 集电极最大允许功耗Pcm ，极限参数时必定被损坏。
2、cm。根据查询相关公开信息显示，三极管超过极限参数1cm时必定被损坏。三极管，全称为半导体三极管。
3、是正确的。C极的最大允许电流Icm是三极管不被损坏的极限，超过了这个电流就会损坏三极管。
4、看三极管的极限参数 三个极限参数：集电极最大允许电流，集电极最大允许耗散功率，集电极与发射极间的反向击穿电压。如果实际的功率Pc大于集电极最大允许耗散功率Pcm，三极管会被烧坏。
1、发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。
2、基极电流过大，三极管会击穿的原因是：集电极电流是基极的β倍，β=50。因为基极电流增大，那么集电极电流也会瞬间50倍的增大，使得PN结承压也瞬间增大，三极管就会被击穿。基极是半导体三极管的电极。
3、三极管击穿分为高压击穿和热击穿等，三极管PN结、CE之间正反向都有一定的耐压值，超过其耐压值，三极管被击穿（短路或断路）；三极管还有最高工作温度，当工作温度高于此值时，发生热击穿。
4、否则导致管子击穿。其三集电极最大允许耗散功率PM，由于集电极电流在集电极产生热量，使结温升高，超过这一功耗，晶体管可能损坏。
5、三极管击穿分为电压击穿和热击穿等，三极管PN结、CE之间正反向都有一定的耐压值，超过其额定的耐压值，三极管被击穿损坏；三极管还有最大额定功率，当内部电流超过额定电流时候，会发生热击穿。
一般，硅三极管的结温（简单说就是管芯温度）都可达150摄氏度。但应该明白，管芯与表面是有温差的，温差大小与实际功耗、管子结构、环境温度、散热设计等有关。一般，硅三极管表温不应高于90摄氏度，最宜不高于60摄氏度。
大多三极管的最高结温在170-200度之间，超过这个温度，三极管就会损坏。
一般硅的PN结耐高温极限值是175摄氏度，但真正使用起来不应高于70度，锗材料最高温度约75——85度，一般不能超过60度。结温越低，寿命和可靠性大大增加。
1、当B和E的电压差为0.7V时，为硅管；电压差为0.2V时，为锗管。以上的判断依据是三极管处于放大状态的前提下，三极管处于截止和饱和状态的时候，要根据具体情况来判断。实际上，一般题目都是判断放大状态下的三极管。
2、从功率容量上分：可分为小功率管和大功率管。从工作频率上分：可分为低频管和高频管。怎样分辨三极管的极性？可以用万用表对双极型三极管进行简易判别。（指针表）将万用表打到RX1K档。
3、即饱和状态下）有UeUcUb，但是仍然满足 Ue-Ub=0.7v，为硅管；NPN：UcUbUe；特殊情况下（即饱和状态下）有UbUcUe，但是仍然满足 Ub-Ue=0.7v，亦为硅管；是锗管的题目会给出提示： Ub-Ue=|0.3v|。
4、这种题首先要判断是NPN，还是PNP管。NPN管：集电极电位大于发射极很多，基极和发射极的电位差是0.1~0.7V。PNP管：发射极电位大于集电极很多，发射极和基极的电位差是0.1~0.7V。
1、有一个引脚接外壳的，作用是消除二次谐波。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
2、如果说老管子，应该是3AG25吧，PNP小功率锗高频三极管，用于早期半导体收音机中频放大，与外壳相通的直接接地作屏蔽，其余3脚分别是b c e。2AG25 没有听说过。
3、大概是接外壳吧？一般会有一个接外壳的，对于三极管，大多是集电极，因为集电结耗散功率较大。外壳一般连接散热器，或主要依靠外壳散热。
4、有些超高频三极管，金属外壳，有四个引脚，除了b、c、e以外多了一个引脚d是外壳接地用以起屏蔽左右，减少外界干扰。
5、就是三个脚，如下图所示，共阳红绿双色二极管管，中间脚为公用正极，两侧分别为红绿色的负极。三极管有四脚，在早期的国产三极管采用四脚封装，是金属外壳封装，所以外壳也引出一个脚。下面是正常的三脚的国产三极管。
6、有些超高频三极管有四个引脚，其中有一个引脚接外壳。
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