mos管的源极（mos管的源极和漏极怎么区分）

发布时间：2023-06-28

阅读量：41

本文目录一览：

两者的结构原理不同：源极的结构原理：一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

不一样。源极（source）source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极（drain）drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。

MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。

1、理论上讲是可以的。但是有些场效应管内部在DS间反向并联了一个续流二极管，就不行了。

2、MOS管，如果漏极与源极的电压反接，就是当作二极管来用了。MOS管，漏极和源极之间反并有一寄生二极管。

3、当栅源压差大于导通电压（vth）后，场效应管就开始导通了，实际应用中，经常把源极接在gnd上，方便管子的开启关断。

4、漏源电压高到一定程度（其实就是预夹断之后），UGD的电压会呈现反压，也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区，ID要从D到S，需要克服一段空间电荷区（耗尽层），这时候，MOSFET呈现得是一种放大状态。

5、好奇葩的问题！如果源级电压小于漏极电压，那么栅漏电压大于开启电压的同时栅源电压也必然大于开启电压，也就是开启。如果源级电压高于漏极电压，那两者就反过来了，还是开启。

因为MOS管有体二极管，所以：如果是NMOS，用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚，正极是S极，负极是D极，剩下的是G极。

判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。

用测电阻法判别无标志的场效应管：　首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。

先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

用万用表的Rx100档测，G（栅极）与其它两极的电阻均为无穷大。再用万用表的Rx10K档测D（漏极）与S(源极），正向电阻约为5K左右，反向电阻大于500K。

估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。

1、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

2、相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

3、三个脚为基极、集电极、发射机的是三极管。三个脚为栅极、漏极、源极的是MOS管。三极管和MOS管的外形看起来很像，实际是不同的东西。

mos管的源极（mos管的源极和漏极怎么区分）