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1、基极悬空，即此三极管没有加任何偏压，这在理论分析中，此时该管相当于开关的断开状态，此时的发射结和集电结，在考虑总的大的趣势时处于反偏的状态。也就是说，集电极的电压，不可能加到基极，它的电位只能是“零”。
2、三极管有一个参数叫穿透电流Iceo（即管子的b极悬空时，流过c-e两极的电流）。对于锗三极管来说，Iceo较大，一般可达数百μA ，而对于硅三极管来说，Iceo很小，通常在nA级，可以忽略不计。
3、可能。 因为空间的杂散电磁波感应可能导致基极电流产生。特别是用手去触摸悬空的基极的时候，一般都会导致导通，这也就是触摸开关的基本原理。
4、发射极就是发射电子，基极就是控制电子（使流向集电极的电流受基极输入信号的控制），集电极就是收集电子。三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管有一个参数叫穿透电流Iceo（即管子的b极悬空时，流过c-e两极的电流）。对于锗三极管来说，Iceo较大，一般可达数百μA ，而对于硅三极管来说，Iceo很小，通常在nA级，可以忽略不计。
这时三极管反偏截止，什么作用也没有，还可能因b-e间反压过高而击穿。
三极管三个极基极b、集电极c、发射极e，具体三个极起的作用要看具体应用的电路。
集电极并没有悬空，而是需要外加一个反偏电压。
基极可以通常的理解为供电电路的地线，是共用的一个平衡点，在放大的时候也做为负级的引入工三极管工作。集电极可以理解为输入，通常是小信号或者比较大的电压。
1、TTL输入端悬空的效果跟输入高电平的情况相同，如果输入低电平的话，无论其他输入是低还是高，都无意义。因为它们与非结果都为1。所以当输入为高或悬空的时候，与非门才有意义。注意：CMOS与非门没有悬空状态。
2、输出为“0”。因为TTL电路的输入端悬空时，会自动浮动成为“1”。
3、TTL与非门悬空时相当于逻辑1电平，也就是相当于输入为高电平。
4、悬空端相当于输入高电平，TTL与非门一端输入高电平，另一端输入高电平时输出为0，另一端输入低电平时输出为1。悬空端相当于输入高电平，TTL与或非门一端输入高电平，另一端不管输入高电平还是低电平输出为0。
5、TTL或非门接地处理，TTL与非门可以悬空或接高电平。
6、TTL与非门、或非门等一端输入信号，另一端悬空，悬空就是输入为1，高电平。则与非门的输出看输入信号端的电平，输入信号端为0，输出为1，输入端信号为1，输出为0。或非门的输出为0。
只有集电极反偏后才可以使得发射极中的自由电子被集电极收集，从而与集电极反偏电源提供的空穴复合产生集电极输出电流。
三极管正常放大工作时，集电结电压很大，发射结电压很小。发射结两端电压的变化以电流的变化形式体现出来，发射结电流（电压）变化一点点能使集电结电流变化很大。
当电压UCE加到三极管集电极和发射极上时，不论是PNP还是NPN型的三极管，它都是集电结受反压，发射结受正压。因为发射结的正压与集电结相比很小，它的电压仅为零点几伏，可以忽略，所以Uce也是集电结所受的电压。
三极管集电极和发射极不能同时直接接直流电。对于共发射集电路来说，集电极不能直接接直流电，那样输出信号就被短路了，不仅没有放大作用，根本就没有输出信号了。
集电极电流，再在Rc上，形成输出电压。 最终就是基极电压，控制了集电极电压，这就是电压放大。
发射极就是发射电子，基极就是控制电子（使流向集电极的电流受基极输入信号的控制），集电极就是收集电子。电流不同 基极电流最小，发射极电流最大。半导体三极管在工作时发射极电流等于基极和集电极电流之和。
1、首先TTL与非门的两个输入端是一个具双发射极的三极管，悬空端A的电平受另一个输入端B钳制，因为它们是有同一个基极C，电压为B+0.7，A=C-0.7=B；Y=(AB)=(BB)=B=(1B)=B所以选空端相当于接高电平。
2、门电路的多余端是不能悬空的，电路是由PMOS和NMOS管串并联组合而成，输入端一旦悬空，输入电位不定，从而破坏了电路的正常逻辑关系。
3、触发器引脚悬空是不接线，相当于在引脚和地之间接了一个无穷大的电阻，一般输入端悬空就表示接“1”。若输入端，悬空，可认为加入高电平，即时，总保持原来的状态不变。这就是触发器的记忆功能。
原理简单。当把电路接好后，这个电路已是放大电路的雏形。但因为基极悬空，所以三极管是截止的，在集电极当然测不出电压。
三极管基极测不到信号是电路故障。我们必须了解三极管的一些基本特性，黑表笔放在发射极上时，一旦电路通电，那么万用表的读数需要在0.6伏至2伏范围才是正常的。
此时，输入信号可以通过空气电容或者其他电容耦合方式传输到三极管的基极，从而实现输入信号的控制。
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