mos管针脚（mos管脚排列）

发布时间：2023-06-28

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1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

2、这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。

3、下是S，上是D，你的实物的封装有多种，8PIN的话，1脚是G，2，3，4脚是S，5 6 7 8是D， 3PIN的是1脚是G，2脚是S，3脚是D。不懂哪是1就去查查吧。或者用万用表测，S-D有个二极管。

G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

MOS管只有四个引脚，即漏极、栅极、源极和衬底。NMOS和PMOS的接法是不一样的。NMOS：漏极→输出信号、栅极→输入信号、源极→低电平(或地)、衬底→低电平(或地)。

假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。

其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。

分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔接源极和漏极的沟道。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。

mos管针脚（mos管脚排列）

1、测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极，若是好的管子，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）。用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。

2、用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。

3、可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

4、原理：利用万用表的两表笔给G-S充以正向电压，则D-S或S-D电阻很小。反之，两表笔给G-S充以负向电压，则D-S或S-D电阻很大，用万用表测应该是无穷大。做法：设A、B、C三引脚。

5、数字万用表用二极管档”蜂鸣档“，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。

1、先确定MOS管的引脚：先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

2、mos管漏的夹断区是倾斜的原因是因为制造过程中的误差或者设计上的考虑。在mos管的制造过程中，夹断区需要通过光刻和蚀刻等工艺进行加工。由于这些工艺的误差，会导致夹断区的位置和形状出现一定程度的偏差。

3、如果引脚的电压接近或与给出的值不符，则该MOS管可能存在问题或损坏。最后，可以连接电路进行完整测试，以确认20N65-ASEMI高压MOS管的性能和稳定性。