MOS管27611的简单介绍

发布时间：2023-06-28

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还有一种MOS晶体管，叫做MOS栅极控制晶闸管，是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

MOS管全称是MOSFET，意思是金属绝缘栅型场效应管，因为它的栅极与沟道之间有一层绝缘层而得名，且栅极通常采用铝金属作为材料而得名。它是场效应管的一种（另外一种是结型场效应管）。

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

场效应管就是MOS管，场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，MOS管可以说是一种通俗的叫法吧，一些采购工程比较喜欢叫MOS管。

MOS管27611的简单介绍

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Mos栅宽对跨导的影响是由于栅宽增加会使沟道宽度缩小，导致漏电流增大，从而影响MOS的跨导特性。当栅宽增大，漏电流增加，使得MOS管的跨导变大，因为跨导是漏电流的导数。

然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。

跨导值越大，意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化，意味着放大作用更大。跨导和漏极电阻的乘积，等于共源放大器的空载电压放大倍数（空载电压增益系数）。

(Vds^2)]然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。

MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快。