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mos管rdson（mos管rdson公式）

发布时间：2023-06-28
阅读量：37

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你认为MOS晶体管中那几个参数最重要,详述其作用与理由。

MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。

mos管的作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。

晶体管主要参数，晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。工作原理 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。

a49t贴片参数

其参数为VDS等于30V，ID等于2A，RDSON小于55mΩ，VGS等于10V。其采用的是sot233l环保材质的封装形式。

产品类型：独脚架。最高工作高度：1935mm。最低工作高度：545mm。节数：5节。产品重量：0.84kg。百诺A49T是一款百诺品牌独脚架。

用N增强型MOS管作为开关,下面两个图是两种接线方式,为什么会有不一样...

你G开路了？G对地短路、开关断开，G开路(正确应接高电平)，开关闭合。

源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。 栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。

沟道的作用：连接两个N掺杂区，这样就可以导通了。沟道来自于P掺杂区，因为G极和衬底B之间电场的作用，电子大量聚集在G极这里，所以这一块的P区就变成了N区（所以叫“反型”层）。

如何减小整流桥的功率损耗?

最好的方法是改善变压器的绝缘结构，以减小绝缘体积来减小线圈尺寸，从而减小负载损耗。另外，在制造过程中选用优质的无氧 铜线，控制单位导电体的电阻在最小的范围内，也可降低负载损耗。

另外，采用快恢复二极管可以减小反向恢复时对结电容的充放电，能减小一定动态损耗。综合看可以用FR307，成本不高效果也不错。顺便补充一下，肖特基二极管耐压目前没有超过300V的，不能用于市电整流。

整流桥在工作时属电阻性。测得两端电压，电流。再将两个数值相乘就是损耗功率了。

整流电路中的整流元件需要克服势垒电压才能导通，压降会有功率损耗而发热，使转换效率降低，尤其是低电压、大电流的场合更加突出。可以选用压降较低的快速整流管，如肖特基二极管。

可以。由于电磁炉用的是50A整流桥，整流桥变小功率就会变小，功率变小功效就会随之变小，导致了功效的大小是随着的体积大小而改变的，是可以把功效变小。电磁炉又称为电磁灶，1957年第一台家用电磁炉诞生于德国。

什么是ic管？哪些品牌比较好？

这个看应用在哪个模块，一般电源管理芯片有多个类别：线性低压降稳压器（LDO）。正、负输出电路。带有脉宽调制(PWM)的开关型电路。国产电源管理IC的话，推介英锐恩的EN405EN406EN4056。

Semiconductor--安森美半导体，主要生产宽带数据应用IC、电源管理模拟IC、低压功率晶体管等。Central Semiconducto--美国中央半导体。公司成立于1974年，主要提供多种超小型贴片封装和低功耗 的分立半导体器件。

IC就是半导体元件产品的统称，包括：1，集成电路(integratedcircuit，缩写：IC)。2，二，三极管。3，特殊电子元件。IC芯片的产品分类可以有下面分类方法：一，集成电路的种类一般是以内含晶体管等电子组件的数量来分类。

IC的开关频率是520K,开关管{MOS管}该如何选择??

1、FR107的反向恢复时间是500nS，耐压是1000V，VF是7V，应该选用没有反恢复时间的肖特基或超快恢复二极管（35nS以下）。同时像这么高频率的电源都是低压的，二极管耐压可选低，这样VF就低了，效率就上去了。

2、选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

3、根据开关频率选择 三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数，如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。

4、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

5、如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

6、当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

关键词：电阻 耦合电容 mos管 可变电阻 电容器 电解电容 ic管 电容

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