三极管ge（3极管的3个区别分别为）

发布时间：2023-06-28

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广义的讲，IGBT也可以说是三极管，是一种特殊的三极管。IGBT的基本结构：绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。

IGBT是复合型三极管。是场效管与双极型晶体管的复合管。

IGBT功率管与一般三极管不同，IGBT功率管是场效应管与三极管复合而成的管，输入部分是场效应管，所以这种管子是电压控制器件。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

这是一款N沟道的IGBT。Vces=600V，Vce(on)典型为85V，Ic=5A，Vge=±20V。

1、锗管的be电压比低0.3V左右，硅管的be电压在0.65V左右。

2、：锗管be在0.2左右，硅管be在0.7左右，所以两个电压相近的是b、e，另一个电压相差较大的是c。2：当c极电压高于其他两极说明是npn管，此时另两极中电压较高的是b。

3、一般的，如果是插件三极管，平面朝“我”，脚朝下，从左到右，ebc。如果是贴片的，贴片面远离，背“我”，成“六”字，“六下撇（/）开始，123bec。这是一般情况，但是又些厂商的有些型号的有些产品不符合一般情况。

4、从你的例子看很明显是一个NPN型硅三极管，：1脚为c，2脚为b，3脚为e.---原因很简单：（1）判断类型：硅管，锗管。因为三极管中be的电压：硅管为0.6 左右，锗管0.2左右（现在使用的98%都是硅管。

做法不同 ①二极管由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成；②三极管在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结。

结构区别：二极管有一个PN结，三极管有两个PN结。

二极管是一种具有单向导电的二端器件，三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小。

主体不同二极管：是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件三极管：也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

二极管和三极管是两种常见的电子元器件，它们在电子电路中扮演着不同的角色。二极管：二极管是一种半导体器件，具有单向导电性。它通常用于电路中的开关、稳压、极性指示和滤波等应用。

单个三极管可以用场效应管代替多个三极管的功能单元可以用集成电路代替，但是都是不能直接代替的，只是功能上的一种代替，需要改变电路。

用参数相近，同类型的三极管代替。不能用其他电子元件代替三极管。

DG6是NPN型小功率高频三极管，可用9012N5551等一些小功率NPN型的高频三极管代换；3DG12是NPN型高频中功率管，可用9012N5551等代用；3AX31是PNP型低频小功率三极管，可用2N5409015等代用。

三极管ge（3极管的3个区别分别为）