光耦690C（光耦型号对照表）

发布时间：2023-06-29

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指针向右偏转角度越大，说明光耦的光电转换效率越高，即传输比越高，反之越低；若表针不动，则说明光耦已损坏。光电效应判断法。仍以EL817光耦合器的检测为例，检测电路。

判断光耦的好坏，可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电阻来确定。更可靠的检测方法是以下三种。

简易测试电路，当接通电源后，LED不发光，按下SB，LED会发光，调节RP、LED的发光强度会发生变化，说明被测光电耦合器是好的。

一般通用型光耦hFE值为一百至几百，若显示值为零或溢出为∞，则表明三极管短路或开路，已损坏。3．光耦传输特性的测量：测试具体接线见下图，将数字万用表开关拨至二极管挡位，黑笔接发射极，红笔接集电极，⑥脚基极悬空。

分别测量两边的阻值；一边正反两面都无穷大，这边接电源初极，另一边正测有6-8K阻值，则说明光耦是好的。

光耦690C（光耦型号对照表）

看到图了吧，1为阳极，为阴极，3是发射极，4是集电极当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，接器受受光光线后导生光电流从通，产输出端输出，从而实现了“电-光-电”的转换。

脚：发射管正极。2脚：发射管负极。3脚：空脚。4脚：接收管E。5脚：接收管C。6脚：接收管B。光耦合器（opticalcouplerequipment，英文缩写为OCEP）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

首先这肯定是个光耦，型号是817C，这个测量是有一定技巧的，光在这儿说，貌似打字不太方便。

光电耦合器由发光二极管和受光三极管封装组成。如光电耦合器，采用DIP－6封装，共六个引脚，①、②脚分别为阳、阴极，③脚为空脚，④、⑤、⑥脚分别为三极管的e、c、b极。光耦的4个脚怎样区分好坏。

光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。

光耦输出端的最大工作电压：30V。光耦输出端的最大工作电流：50mA。光耦的最大工作温度：85℃。光耦的最小绝缘电阻：10^10Ω。光耦响应时间：小于等于4微秒。光耦的耐压能力：1500Vrms。

根据知乎资料显示，这款光耦参数如下：高VCEO（集电极-发射极电压）：80V MAX。输入二极管正向电压：25V。最大集电极电流：50 mA。集电极和发射极的最大电压比：80V。4引脚DIP封装和SMT封装。

根据查询相关公开信息显示，光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V。

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。