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包含三极管的导通压降的词条

发布时间：2023-06-29
阅读量：39

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请问一个关于三极管导通电压的问题

1、三极管的导通电压是不确定的，因为它是电流控制元件。

2、一只三极管是由两个PN结组成。因此，硅材料三极管需要4V以上才能导通；锗材料三极管需要0.6V以上。三极管导通后，它的压降就等于该管本身的饱和压降了ces，通常很小、只有零点几伏了。

3、锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

4、看三极管基极与发射极之间的电压： 锗管是0.3V；硅管是0.7V.三极管导通。对于NPN型管子，是C点电位B点电位E点电位。对于PNP型管子，是E点电位B点电位C点电位。

光敏三极管

光敏三极管的引出电极确实只有两根：一个是电流输入的电极，另一个是电流输出的电极。其工作原理如下： 当光照射到光敏元件中时，会导致光敏元件内部的电荷分布发生变化，形成一个电势差，引出电极上出现一定程度的电流。

光敏三极管是一种特殊的电子器件，可以用来检测光照强度。当光照强度变化时，光敏三极管的电阻也会发生变化。通常，光敏三极管由一个半导体晶体管和一个光敏探测器组成。

光敏三极管（Phototransistor）和普通三极管相似，也有电流（Current）放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。

光敏三极管与光敏二极管不同的是有两个背对相接的PN结。与普通三极管相似的是，它也有电流增益。

总之，光敏三极管工作原理分为两个过程：一是光敏转换；二是光敏流放大。最大特点是输出电流大，达毫安级。但响应速度比光敏二极管慢得多，温度效应也比光敏二极管大得多。

光敏三极管与普通半导体三极管一样，是采用半导体制作工艺制成的具有NPN或PNP结构的半导体管。它在结构上与半导体三极管相似，它的引出电极通常只有两个，也有三个的。

三极管工作时各结压降一般为多少?

三极管有三个状态：放大、截止和饱和。讨论三极管PN结的压降，应该先明确三极管的状态。

当三极管处于放大状态时，基极电压比发射极电压高约一下PN结压降（0.6V左右），集电极电压处于电源电压与发射极电压之间（一般来说至少比发射极电压高1V）。

三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

硅三极管的 B（基极）、E（发射极）电 压降一般0.6伏到0.7伏之间。温度越高压降越低，反之相反。当然基极电流也有关，因为电流越大温度相应增高。C（集电极）、E（发射极）电压降是，由集电极发射极回路电阻决定电压。

三极管导通压降0.7V，这种说法很不严谨。一般的硅三极管，发射结（BE）的导通压降是0.7V，而其他CE，BC之间未必是这个数值。

三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V)，而UCES=0.3V，可见，UBE0，UBC0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。

三极管饱和导通时的压降是多少啊

1、三极管饱和时Uce压降可以达到0.1V以下，甚至更低。一般情况下，在安全值以内，Ib越大，Uce越小。

2、锗材料的三极管工作时各结压降较低为0.1伏，硅材料的的三极管工作时各结压降较高为0.3伏。晶体管的饱和压降与其导电类型无关，主要是与材料相关。三极管的饱和导通时集电极电流已不再随基极电流增大而变化。

3、.7v是硅三极管pn结之间的正向压降；而三极管的饱和压降、是指三极管饱和导通后CE之间的压降。这个饱和压降用ces来表示。他的离散性较大，不一定都是0.1V。

4、三极管饱和导通电压和通过的电流有关，以硅管举例，小功率硅管的饱和压降灾。7V左右，大功率的管子饱和压降会高些，所提供参数会出现饱和压降2V、2A的字样，意为2A电流时的饱和压降为2V。

5、饱和压降就是当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（饱和压降就是：当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。压降就是：两点之间的电位差。饱和。

功率场效应管和三极管的导通饱和压降各有什么特点?

1、功率三极管的饱和导通电压比较小，大功率管的uces在1-3v。功率场效应的饱和导通电压要稍大，通常udss在5v以上。

2、大功率场效应管导通后，特性为纯阻性。普通三极管饱和导通时几乎是直通的，有一个很低的压降，称为饱和压降。

3、它们在开关电源内部所起作用相同，只是两种管子的驱动条件不同，晶体管的基极需要电流驱动。场效应管的栅极需要电压驱动。具体应用需要查阅相关手册。

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