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1、从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
2、你的不足在于,没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子,衬底是B,而且是P型半导体,B与源极S连在一起。
3、当uGSUTN之后,只要在恒流区,转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡,表示uGS对iD的控制作用越强,也即放大作用越强,且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。
4、但尚未击穿的区域,在该区域内,当uGs一定时,ib几乎不随UDs而变化,呈恒流特性。i仅受UGs控制,这时场效应管D、S间相当于一个受电压uGs控制的电流源。场效应管用于放大电路时,一般就工作在该区域,所以也称为放大区。
使用光耦隔离时,一方面需要对信号隔离,另一方面需要做电源,还需要在PCB上留出足够的隔离距离。这三项缺任何一项,就不能实现电气隔离。
就光耦的隔离作用来说,信号地不能直接相连。如要用弱电控制强电时,它们的地就不能直接相连。
不行,光电耦合器应用的目的,就是为了实现冷热电源的隔离,同时为了实现冷电源稳压控制,经冷电源取样放大,经光电耦合器反馈给电源热端,从而实现电源输出端的稳压控制。
因光耦的结构特性,输入、输出侧需要相互隔离的独立供电电源,即需两路无“共地”点的供电电源。
1、,我没理解错的话,电路是这样的:373-光耦-单片机的数字输入端。既然用了光耦,那单片机肯定是单独供电了。其它模拟模块,需要5v供电,与373合用电源。2,不需要加施密特整形电路。
2、光耦应用在电路中不见得就是隔离作用,如同一块电路板上数字电路中电平的匹配,想把3V的电平信号升级为5V,和常用IC之间进行通信,则它们的信号地是可以相连的,此时光耦的主要作用是信号匹配,而不是隔离。
3、但是,使用光耦隔离需要考虑以下几个问题:①光耦直接用于隔离传输模拟量时,要考虑光耦的非线性问题;②光耦隔离传输数字量时,要考虑光耦的响应速度问题;③如果输出有功率要求的话,还得考虑光耦的功率接口设计问题。
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