光耦两边的地（光耦左右）

发布时间：2023-06-29

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1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

2、你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

3、当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管上面讲的是N沟道增强型MOS管。

4、但尚未击穿的区域，在该区域内，当uGs一定时，ib几乎不随UDs而变化，呈恒流特性。i仅受UGs控制，这时场效应管D、S间相当于一个受电压uGs控制的电流源。场效应管用于放大电路时，一般就工作在该区域，所以也称为放大区。

使用光耦隔离时，一方面需要对信号隔离，另一方面需要做电源，还需要在PCB上留出足够的隔离距离。这三项缺任何一项，就不能实现电气隔离。

就光耦的隔离作用来说，信号地不能直接相连。如要用弱电控制强电时，它们的地就不能直接相连。

不行，光电耦合器应用的目的，就是为了实现冷热电源的隔离，同时为了实现冷电源稳压控制，经冷电源取样放大，经光电耦合器反馈给电源热端，从而实现电源输出端的稳压控制。

因光耦的结构特性，输入、输出侧需要相互隔离的独立供电电源，即需两路无“共地”点的供电电源。

1、，我没理解错的话，电路是这样的：373-光耦-单片机的数字输入端。既然用了光耦，那单片机肯定是单独供电了。其它模拟模块，需要5v供电，与373合用电源。2，不需要加施密特整形电路。

2、光耦应用在电路中不见得就是隔离作用，如同一块电路板上数字电路中电平的匹配，想把3V的电平信号升级为5V，和常用IC之间进行通信，则它们的信号地是可以相连的，此时光耦的主要作用是信号匹配，而不是隔离。

3、但是，使用光耦隔离需要考虑以下几个问题：①光耦直接用于隔离传输模拟量时，要考虑光耦的非线性问题；②光耦隔离传输数字量时，要考虑光耦的响应速度问题；③如果输出有功率要求的话，还得考虑光耦的功率接口设计问题。

光耦两边的地（光耦左右）