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很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。
MOSFET管的选择 选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外,还应选择合适的电压和电流容量,以适应实际应用的需求。
选型时候,电压要大于额定电压尖峰值20V左右(不可太高),电流可以选择容量大的,同时查看下导通阻抗,越小越好。另外,建议采用IGBT,效果比MOS好,但是价格偏高些。
额定电压越大,器件 的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。就选择MOS管而言,必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压,即最大VDS。
1、Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
2、这个主要是看你用在什么上面,然后根据你的应用选择参数。一般来说,考虑的参数是Vds,Ids以及Rds这三个,还有有的会考虑Ciss这个参数的,希望能帮到你。
3、,根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%,所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关,依据Rds选择是注意其余温度的关系。2,还有一种方法就是给定一个温差,然推出Rds。
1、控制电源的通断一般用PNP型三极管,如果电流在250MA以下的话可以用S8550,如果电流比较大的话可以用TIP42。在PNP三极管基极上再接一个NPN的推动三极管如S945,S9014都可以。
2、带软开启功能的MOS管电源开关电路 具体的分析,见文章《带软开启功能的MOS管电源开关电路》不过要求2A电流的话,图示的MOS管已经到达上限了,除非有充足的降温措施,不然稳定性不够,还是换用更大封装的管子会比较好。
3、IRF630是4V的开启电压,你可以用电阻分压5V,下端4V上端1V,将分压点4V端连IRF630的G极,可实现5V开启导通。
1、根据开关频率选择 三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数,如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。
2、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流。
3、我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别 工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大。
当电源IC与MOS管选定之后, 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
v信号控制MOS管实现5V电源的通断,可以选择耐压20V的低压MOS管。相同封装,低压MOS管拥有更低的导通电阻,以及更低的栅源电压。通常仅需2V就可以导通。
,根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%,所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关,依据Rds选择是注意其余温度的关系。2,还有一种方法就是给定一个温差,然推出Rds。
Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。
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