行业资讯
photo coupler
[英][ˈfəutəu ˈkʌplə][美][ˈfoto ˈkʌplɚ]
[医]光电耦举坦合器;
The structure and CTR parameter of photo coupler were illustrated. The influences factor of infrared LED chips and phototransistor chips on CTR, were analyzed.
文章介绍了光电耦合器结构及其CTR参数,分析红键答简外发光芯片和光敏接收芯片对光耦CTR值影响,重点讨论了工艺上内点胶操作与CTR的关系,提出了内点胶操作所形成光学通道的椭圆模型理论和各稿裤种点胶方式,并用实验进行验证和说明。
可替换覆盖品牌:
1、日电
2、光宝
3、ST
4、冠西
5、安华国产
三、a332j光耦用什么代替可用于产品:
1、充电桩光耦
2、充电桩光耦
3、门闸光耦
4、影碟机光耦
5、取纸机光耦
四、a332j光耦用什么代替可提供型号及系列:
1、贴片高速光耦系列:531、923、j314、617b、2530、gh305光耦;
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3、双路高速光耦系列:wyc2514、thp4eh211、Ada900、24v3180、12V421、2.3vm616光耦;
4、驱动光耦系列:w61lv、ctr712、yb6ltv是、15伏6n169、250v531、10Vp304光耦;
5、最小的光耦系列:ctA333J、tlp358、Adr621、tlpB817c、pnp187、thp41350光耦;
五、a332j光耦用什么代替规格类别:
1、角位分:6脚、一控二、6引脚、2路...
2、电压分:12伏键启、300v、24v、5v...
3、电流分:5a、100ma、5ma、5a...
4、同类名:二板管、二极管、编码器光耦、鼠标光耦...
六、a332j光耦用什么代替优势:
1、烂旅15年来无质量退货,小问题1小时内处理;
2、大牌供应链合作,清关交期同比快3天;
3、专注电子元器件品牌代理15年;
七、a332j光耦用什么代替可提供信息专业咨询:
1、光耦选型;
2、双向光耦英文;
3、专用光耦衰减;
4、变焦镜头光耦引脚;
5、隔离光耦厂商;
6、插件光耦怕热;
7、光耦的型号什么;
8、双槽型双光稿历如耦整形机;
9、夏普变焦镜头光耦替换表;
10、光耦pc17k1如何替换;
photo的复数形式是photos。
以 o 结尾的名词,有些加词尾 -s,有些加-es,有些加-s或-es均可:
piano / pianos钢琴 tomato / tomatoes西红柿 zero / zero(e)s零
例句:
1.He handed each of them a page of photos.
他给他们每个人一版照片。
2.Photos taken by compact cameras are often dark because they're slightly underexposed.
袖珍相机所拍的照片往岩李往比较暗,因为存在轻微的曝光不足。
3.The photos caused a storm when they were first published.
照片最初刊登困禅出来时曾引起了一片公愤。
扩展资料
photo
英 [ˈfəʊtəʊ] 美 [ˈfoʊtoʊ]
n.照片,相片
vt. vi.(给?)拍照
例句:
1.The popular papers all have photo features on their inside pages.
通俗报纸的内页都有照片汪枣尘专栏.
2.They said, after digging around, the photo was a fake.
在搜集了有关情况后,他们说照片是伪造的。
3.I've got a photo of him on the wall.
我在墙上挂了一张他的照片。
不可以
可以替换的如下:
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5、最小的光耦系列:配早ctA333J、tlp358、Adr621、tlpB817c、pnp187、thp41350光耦。
FOD8333 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器,可驱动高达 1,200 V 和 150 A 的中型功率 IGBT。适用于电机控制变频器应用和高性能电力系统中 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8333 为您提供必要的保护功能,避免发生故障,从而确保 IGBT 不会由于热逃逸而损坏。
DCT2000晶体管参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。
测试种类覆盖7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器森老件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。
高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A,500A)
控制极/栅极电压40V,栅极电流10mA
分辨率最高至1mV / 1nA,精度最高可至0.5%
DCT2000晶体管参数测试仪系统适用于晶体管测试还可测试“结电容”,支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”
第一部分:规格环境
1.1、 产品信息
产品型号:DCT2000
产品名称:晶体管参数测试仪系统
1.2、 物理规格
主机尺寸:深660*宽430*高210(mm)
主机重量:<35kg
1.3、 电气环境
主机功耗:<300W
海拔高度:海拔不超过4000m;
环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);
相对湿度:20%RH~75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下);
大气压力:86Kpa~106Kpa;
防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;
电网要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;
工作时间:连续;
第二部分:应用场景和产品特点
一、应用场景
1、 测试分析 (功率器件研发设计阶段的初始测试,主要功能为曲线追踪仪)
2、 失效分析 (对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改散行善方案)
3、 选型配对 (在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)
4、 来料检验 (研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)
5、 量产测试 (可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)
6、 替代进口 (DCT2000晶体管参数测试仪系统可替代同级别进口产品)
二、产品特点
1、程控高压源10~1400V,提供2000V选配;
2、程控高流源1uA~100A,提供40A,200A,500A选配;
3、驱动电压10mV~40V
4、控制极电流10uA~10mA;
5、16位ADC,100K/S采样速率;
6、自动识别器件极性NPN/PNP
7、曲线追踪仪,四线开尔文连接保证加载测量的准确
8、通过RS232 接口连接校准数字表,对系统进行校验
9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器(如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等)
10、晶体管参数测试仪系统能测很多电子元器件(如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等);
11、晶体管参数测试仪系统能实现曲线追踪仪(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流冲春哗ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) )
12、结电容参数也可以测试,诸如Cka,Ciss,Crss,Coss;
13、脉冲电流自动加热功能,方便高温测试,无需外挂升温装置;
14、Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin),连接分选机最高效率1h/9000个;
15、晶体管参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用;
第三部分:产品介绍
3.1、产品介绍
DCT2000晶体管参数测试仪系统是由我公司技术团队结合晶体管参数测试仪系统的多年经验,以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后,完全自主开发设计的全新一代“晶体管参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。
晶体管参数测试仪系统脉冲信号源输出方面,高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A,500A)栅极电压40V,栅极电流10mA,分辨率最高至1mV / 30pA,精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写,填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。
产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器,还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。
晶体管参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本,方便快捷的完成曲线追踪仪。
3.2、人机界面(DCT2000晶体管参数测试仪系统)
第四部分:功能配置
4.1、 配置选项
DCT2000晶体管参数测试仪系统的功能配置如下
4.2、 适配器选型
DCT2000晶体管参数测试仪系统的适配器有如下
4.3、 测试种类及参数
DCT2000晶体管参数测试仪系统的测试种类和参数如下
(1)二极管类:二极管 Diode
Kelvin,Vrrm,Irrm,Vf,△Vf,△Vrrm,Cka,Tr(选配);
(2)二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode)
Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka;
(3)二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode)
Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;
(4)二极管类:三端肖特基二极管SBD(SchottkyBarrierDiode)
Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(选配);
(5)二极管类:瞬态二极管 TVS
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ;
(6)二极管类:整流桥堆
Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;
(7)二极管类:三相整流桥堆
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;
(8)三极管类:三极管
Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr (选配)、Ts(选配)、Value_process;
(9) 三极管类:双向可控硅
Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;
(10)三极管类:单向可控硅
Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm;
(11)三极管类:MOSFET
Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ;
(12)三极管类:双MOSFET
Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss;
(13)三极管类:JFET
Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss;
(14)三极管类:IGBT
Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;
(15)三极管类:三端开关功率驱动器
Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt;
(16)三极管类:七端半桥驱动器
Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt;
(17)三极管类:高边功率开关
Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt;
(18)保护类:压敏电阻
Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;
(19)保护类:单组电压保护器
Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;
(20)保护类:双组电压保护器
Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;
(21)稳压集成类:三端稳压器
Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk;
(22)稳压集成类:基准IC(TL431)
Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka;
(23)稳压集成类:四端稳压
Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk;
(24)稳压集成类:开关稳压集成器
选配;
(25)继电器类:4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器
Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton(选配)、Toff(选配);
(26)光耦类:4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦
Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf;
(27)传感监测类:
电流传感器(ACS712XX系列、CSNR_15XX系列)(选配);
霍尔器件(MT44XX系列、A12XX系列)(选配);
电压监控器(选配);
电压复位IC(选配);
曲线追踪仪
第五部分:性能指标
DCT2000晶体管参数测试仪系统的性能指标如下
5. 1 、 电流/电压源 ( VIS ) 自带VI测量单元
(1)加压(FV)
量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV
量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV
量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV
量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV
量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV
(2)加流(FI)
量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA
量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA
量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA
量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA
量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA
量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA
量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA
说明:电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出,脉宽范围:300us-1000us可调
(3)电流测量(MI)
量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA
量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA
量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA
量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA
量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA
量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA
量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA
(4)电压测量(MV)
量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV
量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV
量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV
量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV
5. 2 、 数据采集部分 ( VM )
16位ADC,100K/S采样速率
(1)电压测量(MV)
量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%读数值±200mV
量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%读数值±20mV
量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%读数值±10mV
量程±10V分辨率153uV精度±0.1%读数值±5mV
量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%读数值±2mV
量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%读数值±2mV
(2)漏电流测量(MI)
量程±100mA分辨率30uA精度±0.2%读数值±100uA
量程±10mA分辨率3uA精度±0.1%读数值±3uA
量程±1mA分辨率300nA精度±0.1%读数值±300nA
量程±100uA分辨率30nA精度±0.1%读数值±100nA
量程±10uA分辨率3nA精度±0.1%读数值±20nA
量程±1uA 分辨率300pA精度±0.5%读数值±5nA
量程±100nA分辨率30pA精度±0.5%读数值±0.5nA
(3)电容容量测量(MC)
量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF
量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF
5. 3 、 高压源 ( HVS ) (基本)12位DAC
(1)加压(FV)
量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV
量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%设定值±50mV
量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%设定值±5mV
(2)加流(FI):
量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%设定值±10uA
量程2mA分辨率381nA精度±0.5%设定值±2uA
量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%设定值±200nA
量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%设定值±20nA
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