发光二极管伏安特性曲线（发光二极管伏安特性曲线特点）

发布时间：2023-06-29

阅读量：46

本文目录一览：

它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。

当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。

原理：普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只有微弱的反向电流可以流过。在设计和制造光电二极管时，PN结的面积应该比较大，以便接收入射光。光电二极管在反向电压的作用下工作。没有光线时，反向电流极弱，称为暗电流。

发光二极管是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。

二极管是半导体设备中的一种最常见的器件，大多数半导体最是由搀杂半导体材料制成(原子和其它物质)发光二极管导体材料通常都是铝砷化稼，在纯铝砷化稼中，所有的原子都完美的与它们的邻居结合，没有留下自由电子连接电流。

发光二极管的原理发光二极管（LED，LightEmittingDiode）是一种半导体照明器件。它的工作原理是通过半导体内的电子与空穴的结合和分离产生光。具体来说，LED由两个半导体物质构成，分别是p-型半导体和n-型半导体。

1、伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的，也就是耗电元件，图像常被用来研究导体电阻的变化规律，是物理学常用的图像法之一。

2、电流表串联起来。再与小灯泡并联一个电压表。做好之后。作表格，用于记录。每滑动一次电阻（电阻由小变大）记录一次电压，电流。然后作图。电流为X轴，电压为Y轴。将每一次的记录描点，之后连接点就出来伏案特性曲线了。

3、小灯泡的伏安特性曲线不是一条直线。曲线原因的分析：根据欧姆定理，RU应该是一条直线，但是那仅仅是理想IU来说，RI电阻，R是恒定不变的但是在现实的试验中，电阻R是会受到温度的影响的。

4、本实验通过描绘伏安特性曲线的方法来研究钨丝灯泡在某一电压变化范围内阻值的变化，从而了解它的导电特性．实验电路图：如图所示，用采用滑线变阻器的分压式接法。

5、实验伏安特性曲线：误差分析：自拟数据表格，列表记录和处理数据。

6、伏安特性曲线是电器元件两端的电压和其电流变化关系曲线。一般在研究电器元件的特性时用到，比如，电阻的伏安特性曲线是斜直线。

当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理，其内部构造如图2-9所示。

发光二极管是由一个塑性灯泡覆盖集中灯光在一个特定方向。

发光二极管的原理是：发光二极管由半导体芯片组成，这些半导体材料会预先透过注入或搀杂等工艺以产生p、n架构。与其它二极管一样，发光二极管中电流可以轻易地从p极（阳极）流向n极（阴极），而相反方向则不能。

---发光二极管的发光原理同样可以用PN结的能带结构来解释。制作半导体发光二极管的材料是重掺杂的，热平衡状态下的N区有很多迁移率很高的电子，P区有较多的迁移率较低的空穴。

锗二极管反向耐压则低得多；硅二极管的反向漏电流很小，锗二极管的反向漏电流要大得多；硅二极管的温度系数比锗二极管大。

硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。

硅管和锗管的伏安特性曲线形状一样，那只是为了便于理解。如果把数值标在坐标上就能看出区别，两种管子的正向导通电压分别是0.6和0.2V。实际上即使同类型的不同二极管，其伏安曲线也有很大区别。

发光二极管伏安特性曲线（发光二极管伏安特性曲线特点）