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1、主电路保护常见得有：电流保护和电压保护以及电压上升率保护。控制电路的电子保护一般在检测到异常时进行过流过压过载等保护。主电路的过流保护一般采用串联快速熔断器，过压保护采用并联压敏电阻。
2、为了作进一步的保护，在主电路 还设有一个32A的空气开关，它的作用也是保护可控硅，同时也作为主电路的控制开关使用。
3、可以，可在你控制电路前加一个接触器，即继电器。装一个三极管控制电路，从电源引电阻过来，再装一个轻触开关，按下开关三极管导通，接触器即闭合，可控硅得电工作，但松开轻触开关，接触器即断开。
4、其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
1、可控硅不耐大电流冲击(超负荷时温升很快)，采用快速熔断器可以有效保护，这是理论上的，但实际上快速熔断器的响应时间还不能符合可控硅的要求，设计时要考虑工作电流的富余量以及散热系统的富余量。
2、不能。根据相关公开信息查询显示，熔丝熔断时间较长，不能起到保护作用，所以可控硅要用快速熔断器保护，熔丝不能代替。
3、迅速断开熔丝，好的快速熔断体其效率相当高，主要用来保护可控硅和一些电子功率元器件。
4、其目的为了使熔丝在过载情况下迅速断开。快速熔断器就突出“快”，也就灵敏度高，当电路电流一过载，熔丝在焊点的作用下，迅速发热，迅速断开熔丝，好的快速熔断体其效率相当高，主要用来保护可控硅和一些电子功率元器件。
5、直流快速开关 对于变流装置功率大且短路可能性较多的场合，可采用动作时间只有2ms的直流快速开关，它能够先于快速熔断器断开而保护了晶闸管，但价格昂贵使用不多。
6、直流选取DC熔断体。优点：熔断器就突出快，也就灵敏度高，当电路电流一过载，熔丝在焊点的作用下，迅速发热，迅速断开熔丝，好的快速熔断体其效率相当高，主要用来保护可控硅和一些电子功率元器件。
产生过电流的原因多种多样，当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、负载过载等，均会引起装置中电力电子器件的电流超过正常工作电流。
当通过可控硅的电流值在额定范围之内时，它在磁路中所产生的磁场强度较小，低于霍耳元件的动作磁场强度，保护电路不动作。
符合欧姆定律的。——★加热丝工作时电流突然变大，烧坏，这是双向可控硅输出的电源突然升高所致：触发电路发生了失控。——★检查、维修控制电路（特别是触发电路），即可排除故障。
造成过压的原因很多，常见的有以下几种情况：1）变压器的接通或断开；2）感性负载的接通或断开；3）可控硅断开（或接触问题）；4）熔断器熔丝或保险的烧断；5）外界闪电或雷击。
可查看电流反馈电路，就是在接把线的位置上一点，有两根细线，该故障是松下可控硅焊机常见的故障。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A第二阳极A2电流减小，小于维持电流或AA2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
1、如果负载是感性负载，例如，电动机什么的，有线圈的，在关断时会出现一个电压很高反电动势，容易将可控硅击穿。
2、可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
3、过电流保护晶闸管出现过电流的主要原因是过载、短路和误触发。过电流保护有以下几种：快速容断器 快速容断器中的溶丝是银质的，只要选用适当，在同样的过电流倍数下，它可以在晶闸管损坏前先溶断，从而保护了晶闸管。
1、控制电路的电子保护一般在检测到异常时进行过流过压过载等保护；主电路的过流保护一般采用串联快速熔断器，过压保护采用并联压敏电阻。电压上升率保护采取并联阻容吸收电路。
2、直流快速开关 对于变流装置功率大且短路可能性较多的场合，可采用动作时间只有2ms的直流快速开关，它能够先于快速熔断器断开而保护了晶闸管，但价格昂贵使用不多。
3、过电流继电器 当电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路。但由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以只能用作晶闸管的过载保护。
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