mos管散热绝缘（mos管散热片接d极）

本文目录一览：

• 1、MOS管封装与参数有着怎样的关系，如何选择合适封装的MOS管
• 2、大功率MOS管和功放对管与散热铝片中间为什么要加垫片而不是直接用硅脂或者硅胶
• 3、内绝缘MOS管是什么原理，内绝缘封装有哪些优点？让非电子专业也能看懂！
• 4、导热绝缘片跟导热硅胶片的区别是什么？我做MOS管的话，选择哪一款比较好？
• 5、mos管散热处 需要绝缘吗
• 6、mos管和散热片之间必须用导热硅胶填充吗？不可以用CPU用的导热硅脂代替么？

MOS管封装与参数有着怎样的关系，如何选择合适封装的MOS管

一、MOS管封装

不同的封装尺耐拦寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素)，基本原则就是：在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。

常见的MOS管封装有：

①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92;②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3;不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，简单介绍如下。

1、TO-3P/247

TO247是比较常用的小外形封装，表面贴封装型之一，247是封装标准的序号。

TO-247封装与TO-3P封装都是3引脚输出的，里面的裸芯片(即电路图)是可以完全一样的，所以功能及性能基本一样，最多是散热及稳定性稍有影响TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用昌搏胡在大功率的POWER中,用作开关管的话，它的耐压和电流会比较大一点是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适于中压大电流(电流10A以上、耐压值在100V以下)在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。

2、TO-220/220F

这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。

3、TO-251

该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。

4、TO-92

该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用，主要是为了降低成本。

5、TO-263

是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中银轿压大电流MOS管中较为多见。

6、TO-252

是目前主流封装之一，适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。

STD2NK100Z 的参数

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1 kV

Id-连续漏极电流: 1.85 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 16 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 70 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: SuperMESH

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.4 mm

长度: 6.6 mm

系列: STD2NK100Z

晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET

宽度: 6.2 mm

商标: STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值: 2.4 S

下降时间: 32.5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 6.5 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 41.5 ns

典型接通延迟时间: 7.2 ns

单位重量: 4 g

大功率MOS管和功放对管与散热铝片中间为什么要加垫片而不是直接用硅脂或者硅胶

1、大功率MOS管和功放对管与散热铝片中间加垫片或者用硅脂或者硅胶都可以。

2、功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（笑并山M）的栅极隔碰中着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

3、垫片是蔽旦用纸、橡皮片或铜片制成，放在两平面之间以加强密封的材料，为防止流体泄漏设置在静密封面之间的密封元件。

内绝缘MOS管是什么原理，内绝缘封装有哪些优点？让非电子专业也能看懂！

非电子专业的人也能懂内绝缘码冲MOS管，采取问答的模式：

师傅：首先，普通TO-220或者TO-2247的产品，外壳是带电的不能和散热器直接安装的。

二师兄：明白，就是不能直接贴在散热器上，需要有个绝缘片隔着。

师傅：这个时候，绝缘垫的热阻比较大。

二师兄：等等，绝缘垫跟热阻有毛线关系。绝缘垫就是绝缘而已。

师傅：每种物质都存在阻值，这个明白吧？

二师兄：明白~

师傅：一个普通产品的总体热阻＝芯片热阻+芯片下焊料的热阻+铜支架的热阻+导热硅脂的热阻+绝缘垫的热阻+散热器的热阻。

二师兄：明白。

师傅：内绝缘就是使用特殊的封装工艺将承载芯片的框架与MOS管背部散热片相互隔离的一种新型封装，最终目的是将MOS管的漏极与其背部散热片之间达到电气隔离。

二师兄：采用陶瓷基板进行电气隔离，这种情况下的总体热阻=芯片热阻+芯片下焊料的热阻+铜支架的热阻+导热硅脂的热阻+散热器的热阻。

师傅：是的。

二师兄：这么一来，就不需要散热片了，还减少了热阻，还可以直接贴在散热片上了，更容易散热了。

师傅：是的。举例来说，本来应用情况下工作温度是100℃， 现在用了内绝缘产品工作温度在80℃，降低了20℃。

二师兄：因为产品贴在散热器上，散热更好了嘛~

师傅：现在回过头来，看这个产品实测实验图，你就知道奥妙在哪里了。

师傅：我们实验的MOS管的芯片是90A，根据测试普通封装，在工作温度是100°C的时候58A，而内绝缘封装的MOS管是和散热器贴在一起的，实验散热器的温度在75°C，所以MOS管的工作温度也是在75°C，此时MOS管的工作电流在77A，也就说，普通封装限制了电迟银歼流的通过能力，也限制了MOS的工作温度，用内绝缘封装的MOS，有效的提高了MOS的电流通过能力。

二师兄：现在买搏闹MOS不都是看导通电阻吗？

海飞乐：是的，导通电阻和产品总体热阻直接影响输出电流，记住一个公式：电流＝(TJ-TA)/RDSON（max）*RTH*a。

通过上述公式举例说明：在环境温度不变的情况下，导通电阻越低，MOS管输出电流大；产品总体热阻越低，MOS输出电流就越大。

内绝缘的另一个优点：提高产品在应用端的安全性，普通封装产品散热片直接和MOS管的漏极相连，在客户应用时，很有可能造成电气短路和人身安全。

二师兄：总结一下就是：减少了散热垫，减少了热阻，增加了电流，增加了安全。

导热绝缘片跟导热硅胶片的区别是什么？我做MOS管的话，选择哪一款比较好？

楼主您好！其实您提的这个问题特别好，好多人都认为导热硅胶片跟导热绝缘片都是既导热又绝缘的界面材料，那为什么还要区别两个不同的材料或是给两个不同的名字呢？其实存在的就是合理的，既然有逗信两个名字，肯定有两者的区别的。

首先，导热绝缘片跟导热硅胶片都是又导热又绝缘的材料。

其次，导热绝缘片有一层桥丛玻璃纤维增强，而导热硅胶片没有基材。

第三，导热绝缘片一般都是0.5mm以下的间隙选择，而导热硅胶片一般可以从0.3-10mm都很山消轮常见。

最后，楼主是做MOS管的，建议选择导热绝缘片即可。

mos管散热处 需要绝缘吗

要看MOS的封装结构和电路形式和它们的散热部位是否在电路中相互直接连接。如果在电路中本来就是相互间直接连接的（例察档如都是接地的），那么就无须绝缘。否顷没册则雀宏就要加绝缘件。

mos管和散热片之间必须用导热硅胶填充吗？不可以用CPU用的导热硅脂代替么？

莫斯管的金属散热部分是地。 如果你的电路的地和大地没电位差的话没问题， 如果是浮动的话会烧管子； 或者你的散热片对地浮动也可以。

硅胶垫主要是绝缘用， 云好前母片也可以码袜扮。 硅脂导热好， 但是他是半液态的， 拧紧之后莫斯管迟灶的地和散热片直接接触， 就烧了。

关键词：mos管和 mos管