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前者的反向恢复时间为数百纳秒或更长,而后者小于100纳秒。
快恢复二极管反向恢复时间(tr)的定义:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里,IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。
trr≈2Qrr/IRM (1)由式(1)可知,当IRM为一定时,反向恢复电荷愈小,反向恢复时间就愈短。
结构特点:快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。
快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。
1、如果你的东西很大,那么就需要光电传感器,有反射式的,也有对射式的,这个价格几千不等,原理是发射端发射一个激光幕,接收端按照接收到的面积,可以给出被遮挡的面积等等精细的参数。红外线是长波,暖气就会发射红外线。。
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3、首先为大家介绍的是深圳恒盛光电电子厂,它位于深圳市宝安区,是一家专业生产和销售光电二极管等光敏元件的厂家。
4、PN结型光电二极管与其他类型的光探测器一样,在诸如光敏电阻、感光耦合元件(Charge-coupled Device, CCD)以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。
很简单,是PN结快恢复二极管,不是肖特基二极管。百度一下,一切都明了。MUR1100表示1A1000V,同理,5100表示5A1000V,10100表示10A1000V,1050表示10A500V,3050表示30A500V;……以此类推,懂了吧。
N10的电性参数是:二极管正向电压(VSD)为3V,反向恢复时间(trr)为47nS,输出电容(Coss)为373pF,其中有3条引线。
快恢复二极管的最重要参数就是恢复时间很短,可以用于高频整流,普通二极管在导通状态下恢复的很慢,当反向电压迅速加来是它仍在导通状态,正向导通在PN结积累的载流子直接反相流通,会产生很大的反向电流,失去“整流”功能。
最优参数的快恢复二极管MUR860D与高频开关器件协同工作,最大限度地减少高频逆变电路中开关器件引起的过压尖峰、高频干扰电压和EMI,使开关器件的作用得到充分发挥。
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