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三极管发射结电阻rbe=rbb`+rb`e=300+(1+β)26mV/Ie 其中rbb`对高频管通常取200Ω甚至更低，低频管取300Ω，卷子注明rbb`数值就取其数值，没注明可自定，一般误差均小于10%。
正如前面某个朋友所说，同一个型号的三极管也分很多档，不同档的HFE有差别。在生产的时候，就由生产商检测好并分类包装了，不同档次的货品给不同的客户，大客户拿到的东西自然比小客户好。
）三极管的放大倍数制造时并不是不能达到600及以上，而是放大倍数高了，管子的稳定性会下降，所以一般不造。
晶体三极管的半导体材料本身受环境温度变化影响很大。也就是不同温度下放大倍数是不同的。另一方面由于工艺技术限制的原因生产生晶体管都有一定范围的离散性。所以放大倍范围数很大。
具体来说，rbb的大小与三极管的结构参数有关，通常采用外部电路进行调节。在实际电路中，为了使放大器的输入阻抗不过高或过低，在计算和设计电路时需要考虑rbb的影响，并根据实际需要进行匹配和调节。
晶体管的输入端加交流信号vi时，在其基极将产生相应的变化电流b，如同在一个电阻上加交流电压而产生交流电流一样。因此晶体管的输入端b、e之间用一个等效电阻代替，这个电阻称为三极管的输入电阻rbe。
从外表看一般是体积越大，功率越大，从标识看，无法一一列出，因为品种太多。但可以在晶体管手册上查；比如以国产管为例，PNP锗大功率管，3AD1~6功率是1W；3AD11~17功率是20W；3AD18是50W。
小于1W的都可以算小功率。1~10W的是中功率。10W以上基本上可以算大功率了。有经验的还可以从封装上判断，比如TO92，TO92L，SOT23就是典型的小功率三极管的封装。TO126是典型中功率管的封装。
按工作频率分：低频三极管、高频三极管、开关三极管。
最简单区分法从体积外表上，体积大的是大功率的，体积小的是小功率的。可准确的还是要从它们的技术指标上来分，看他们的集电极耗散功率。
最简单区分法从体积外表上，体积大的是大功率的，体积小的是小功率的。可准确的还是要从它们的技术指标上来分，看他们的集电极耗散功率。
小于1W的都可以算小功率。1~10W的是中功率。10W以上基本上可以算大功率了。有经验的还可以从封装上判断，比如TO92，TO92L，SOT23就是典型的小功率三极管的封装。TO126是典型中功率管的封装。
大功率，小功率是通俗的说法，所谓功率是指最大耗散功率，也就是Pcm，不过没有特别明确的界限。
从外表看一般是体积越大，功率越大，从标识看，无法一一列出，因为品种太多。但可以在晶体管手册上查；比如以国产管为例，PNP锗大功率管，3AD1~6功率是1W；3AD11~17功率是20W；3AD18是50W。
按工作频率分：低频管、高频管、超频管 按结构工艺分：合金管、平面管 按安装方式：插件三极管、贴片三极管 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
按照功能划分，三极管可分为开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。按照功率划分 按照功率划分，三极管可分为小功率管、中功率管、大功率管三种。
，按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管；6，按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。
NPN三极管若在放大区，集电极电位＞基极＞发射极；若在截止区，发射极＞基极，集电极＞基极；若在饱和区，基极＞发射极，基极＞集电极。PNP三极管就反过来了。
对于NPN管，UCUBUE 对于PNP管，UEUBUC 以上是根据三极管放大状态的条件，发射结正偏，集电结反偏推算出来的结果。
实际上，饱和与否关键看IB的大小，如果满足大于临界饱和电流就进入饱和状态了，此时也很有可能依然是UCUBUE（UE=0V，UB=0.7V，UC=1V，满足UCE=1V，刚好饱和，NPN管）。
三极管是一种半导体器件，通常由三个区域（P-N-P或N-P-N）组成。
1、二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
2、二极管按用途分可以分为普通二极管和特殊二极管。普通二极管包括检波二极管、整流二极管、开关二极管和稳压二极管；特殊工极管包括变容二极管、光电二极管和发光二极管。
3、整流二极管、检波二极管、光敏二极管、发光二极管、恒流二极管、稳压二极管等。还有特殊用途：恒流二极管 1．恒流二极管的作用 恒流二极管（简称CRD）是用来稳定电流的二极管，它可以在较宽的电压变化范围内提供恒定不变的电流。
4、第一种是玻璃外壳二极管；第二种是金属外壳二极管；第三种是塑料外壳二极管；第四种是环氧树脂外壳二极管。
关键词：三极管大小 高频三极管 三极管的输入电阻 等效电阻 三极管的结 电阻 三极管发射结 开关三极管 功率三极管 小功率三极管的 输入电阻 三极管的放大 三极管的封装 晶体三极管 一个电阻
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