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1、mos管中，D表示漏极，S表示源极，Vds就代表漏源电压。
2、Vds是场效应管漏极和源极间的电压，Vgs是栅极与源极间电压，指的是电压值不存在加减关系和电流方向。场效应管Vgs和Vds电压问题说明：MOS管的时候记得是G极电压，D极电压，S极电压这样叫。
3、Vds是MOS的漏极电压，Vgs是栅极电压，也称为阀值电压开启电压，是导通MOS管的一个值。
4、Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压 Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起，这一部分与变压器的绕发有关，不太容易计算。MOS的耐压需要大于实际的电压，才不会有击穿的危险。
5、导通是有电阻的，它又不是超导材料，连“导体”都不是，而是“半导体”，只要有电流流过，就有电压降，当电流达到某值，超过这时Vgs控制电压能够产生的电流量，才进入饱和区。
mos管vds电压计算方法：根据P=I*I*R，得出I=3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。
按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
导通是有电阻的，它又不是超导材料，连“导体”都不是，而是“半导体”，只要有电流流过，就有电压降，当电流达到某值，超过这时Vgs控制电压能够产生的电流量，才进入饱和区。
这里的耗尽层相应变宽，沟道相应变窄，沟道电阻相应增加，Id随Vds上升的速度趋缓。当Vds增加到Vds=Vgs-Vp，即Vgd=Vgs -vDS=Vp(夹断电压)时，漏极附近的耗尽层即合拢，沟道宽度为0，这种状态称为预夹断。
MOS的导通压降不仅和导通电流有关，还和栅极控制电压有关。导通电流相同的情况下，栅极控制电压不一样，导通压降也是不一样的，因此即便导通电流增大，也可以通过改变栅极控制电压使导通压降减小。
Vds增加时，由电流Id流过，由于沟道存在一定的电阻，因此，Id沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等，漏极端电位最高，源极端最低。
IGBT短路后能够退饱和（desaturation）进入线性区，电流不再增加，能够自我限流。
）如果能够更加深入理解的话，可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs，也适用于指代Vgd。即 Vod1=Vgs-Vth；Vod2=Vds-Vth；如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。
(3)当VGSVT，VDS0后， 漏-源电压VDS产生横向电场：由于沟道电阻的存在，iD沿沟道方向所产生的电压降使沟道上的电场产生不均匀分布。
VDS=VDG＋VGS= —VGD＋VGS VGD=VGS—VDS 当VDS为0或较小时，相当VGD＞VGS(th)，沟道呈斜线分布。在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。
N沟道的MOS管，Vgs越大，Ids电流越大。P沟道的MOS管，Vgs越大，Ids电流越小。
Vgs增大，就出现反型层，出现导电沟道，当Vds=0时，没有电流。当Vds慢慢增大，会使得靠近漏极的电势差减小。Vgs-VdsVT，也就是VgdVT， 既然这个电压小于导通电压，当然要夹断了哦。不足以生成反型层啊。
当Vgd＝Vgs－Vds＜Vth时，沟道在漏极夹断，管子进入饱和区，此时电流仅受Vgs控制（忽略沟道长度调制效应）；当漏源电压Vds太大时，会发生源漏穿通，即漏极和源极连在一起，相当于发生了击穿，此时会产生很大的电流。
1、PVC：PVC其实是一种乙烯基的聚合物质，其材料是一种非结晶性材料。PVC材料在实际使用中经常加入稳定剂、润滑剂、辅助加工剂、色料、抗冲击剂及其它添加剂。具有不易燃性、高强度、耐气侯变化性以及优良的几何稳定性。
2、IC就是半导体元件产品的统称，IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC，其中，数字IC是近年来应用最广、发展最快的IC品种。
3、IC包装管是IC、电子元件及电子组件的包装管材，是为防止在运输过程中对零件的损伤，以及在运输周转过程中防止静电对元件产生静电损伤的一种包装管材。
4、IC包装管：主要用于IC、集成电路、半导体元件、变压器等电子器件的包装使用。IC包装管主要使用原料有：PVC聚氯乙烯粒料、透明HIPS粒料、改性PET、PP、PE及载带等多种材料。
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