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三极管的导通条件 截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE=UON且UCEUBE 。此时IB=0，而iC=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。
三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。锗管加0.2V。
三极管CE导通的条件是：Ube0.7V，UcUb ；PNP 三极管EC导通的条件是：Ueb0.7V，UbUc 。
PNP管的导通条件是，UeUb，UcUb时可以可以导通三极管导通满足两个条件：（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。同时满足才能导通。如果PNP管的E接+5V，只要B小于3V，C点电压为负且远远小于B点电压即可。
1、三极管的工作原理是，当控制电流流过基极时，会使正极和负极之间的电流通过，从而导通三极管。三极管通常被用来控制大电流或大电压，或者用来实现电路中的逻辑功能，如开关、防止反向电流流动等。
2、它由三个极构成，即正极（P）、负极（N）和中间极（C）。三极管的导通原理是，当正极和中间极之间的电压超过一定的阈值时，三极管就会导通，此时正极和负极之间的电流就会流动，从而实现电路的导通。
3、NPN 型三极管的导通条件是 b 极比 e 极电压高 0.7V。
1、PNP管的导通条件是，UeUb，UcUb时可以可以导通三极管导通满足两个条件：（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。同时满足才能导通。如果PNP管的E接+5V，只要B小于3V，C点电压为负且远远小于B点电压即可。
2、三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。锗管加0.2V。
3、三极管的导通条件 截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE=UON且UCEUBE 。此时IB=0，而iC=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。
4、三极管有三个电极分别是：集电极，用字母c表示；发射极，用字母e表示；基极，用字母b表示。
5、简单地说，三极管就好比一个阀门，依npn管为例，如果在管子集电极加上正电压，在发射极接负极的情况下，当给基极加入一个正电压（好比打开阀门），这时三极管就有电流从集电极流向发射极，这就是所谓的导通了。
6、基极电位比发射极高0.7V以上，集电极 电位 比基 极高0.7V以上。
1、导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结。
2、三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。锗管加0.2V。
3、PNP管的导通条件是，UeUb，UcUb时可以可以导通三极管导通满足两个条件：（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。同时满足才能导通。如果PNP管的E接+5V，只要B小于3V，C点电压为负且远远小于B点电压即可。
1、三极管是一种电子器件，它具有三个电极，称为基极（或源极）、收集极和发射极。三极管的工作原理基于电极间的动态电流和电压。当电压加在三极管的基极和发射极之间时，电子从基极流向发射极。
2、三极管的工作原理是，当控制电流流过基极时，会使正极和负极之间的电流通过，从而导通三极管。三极管通常被用来控制大电流或大电压，或者用来实现电路中的逻辑功能，如开关、防止反向电流流动等。
3、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。下面介绍的是三极管工作原理，不了解的朋友跟小编一起来看看吧。
4、即正极（P）、负极（N）和中间极（C）。三极管的工作原理是，当正极和负极之间的电压超过一定的阈值时，中间极就会导通，从而使正极和负极之间的电流流动。三极管可以用来控制电流的流动，从而实现电路的开关功能。
导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结。
NPN 型三极管的导通条件是 b 极比 e 极电压高 0.7V。
三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。锗管加0.2V。
npn三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。
三极管的导通条件 截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE=UON且UCEUBE 。此时IB=0，而iC=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。
PNP管的导通条件是，UeUb，UcUb时可以可以导通三极管导通满足两个条件：（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。同时满足才能导通。如果PNP管的E接+5V，只要B小于3V，C点电压为负且远远小于B点电压即可。
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