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igbt与可控硅（igbt与可控硅在感应加热器）

发布时间：2023-06-30
阅读量：54

本文目录一览：

单管igbt和可控硅谁电流大

两者不同。。可控硅是个稳压元件 你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。

大功率整流用可控硅。IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。

mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。

IGBT晶闸管，其结构为绝缘栅双极场效应晶体管，可以触发导通，也可以触发管断，所以称为全控器件；IGBT晶闸管优点：输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、饱和压降低（甚至接近GTR的饱和压降）、耐压高、电流大。

IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。具体可以查看有关书籍或在网上搜索。

可控硅和IGBT

1、可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。

2、igbt发热严重。igbt中感应加热设备的整机效率为80%以上。可控硅感应加热设备的整机效率为50%-60%。IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

3、单管igbt。单管igbt和可控硅是单管igbt电流大，igbt的通态压降很低，特别是在大电流的情况下更为明显。

4、igbt贵。因为IGBT具有更高的开关速度和更低的导通电阻，可以实现更高效的电力转换和控制，所有在高端应用领域中得到广泛应用。

5、可以，但不能转直接代替，需要改变控制模式。既不能用可控硅触发脉冲直接控制。两者不同，可控硅是个稳压元件你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。

IGBT中频炉真的比可控硅中频炉节电吗?

1、在其它条件相同的条件下，IGBT电炉比可控硅电炉节电0.0976％，几乎可以忽略。如改变其它条件，IGBT电炉采用串联逆变，通过提高中频电压节电，那就是另外回事了。

2、这个问题太专业了，不敢妄加评论。如果可以，那么它确实是高科技了。

3、稳定可控硅的技术水平已经很成熟了。IGBT的小功率的也没问题的啊。

4、你买的是可控硅中频炉，电路中谐波大，耗能大。可根据中频炉的功率大小来选滤波器。晶体管中频炉功率因数达到0.97并且电路中谐波小，不需要无功补偿和滤波器。晶体管中频炉比可控硅中频炉节电28%。

5、中频炉的选择看你是要多少吨位的。一般选择是从两方面考虑，从电源考虑：一种是可控硅整流，逆变。六脉整流的功率因数低干扰大，耗电大。采用十二脉的会比较好。

6、水冷电缆断裂过程，一般是先断掉大部分后，在大功率运行时把未断小部分很快烧断，这时中频电源就会产生很高的过电压，如果过电压保护不可靠，就会烧坏晶闸管。水冷电缆断开后，中频电源无法启动工作。

igbt和可控硅哪个发热严重

1、两者不同。。可控硅是个稳压元件 你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。

2、大功率整流用可控硅。IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。

3、由于它导通后会像三极管一样有CE电压。所以不适合用于低电压电路，相对来说开关损耗会变大。可控硅了解不多，它只能是导通和截止，不像MOS和IGBT会有放大状态。价格应该可控硅最贵，IGBT次之，MOSFET最便宜。

4、IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。具体可以查看有关书籍或在网上搜索。

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