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线性光耦电压（线性光耦电压电流采样电路）

发布时间：2023-06-30
阅读量：93

本文目录一览：

pc817光耦参数

1、PC817的基本参数：集-射极电压额定值Vceo为35V，Ic为50mA，Pc为150mW。实际工作中，集电极供电电压可在额定值以内选用，只要注意实际的Vceo*Ic≯Pc就行。

2、pc817与pc851区别在于峰值正向电流不同，光耦PC817的峰值正向电流（ICEmax）为1A。光耦PC851的峰值正向电流（ICEmax）为5A。作用不同，光耦PC817用于信号传输，减小电路干扰，简化电路设计。目的在于增加安全性。

3、PC817是日本 夏普的一款电子元器件的光电耦合器，PC817参数与EL817参数一致。目前国内制造加工行业不景气的情况下，众多工厂在不改变质量而且要缩减成本的前提下，开始采用台湾亿光的光耦来替代PC817。价格便宜30%左右。

4、数据手册给出的是范围值，对应每只光耦的输出电流会不一样，如果知道确切值可以求出，还有个问题要注意，817传输比不是线性的，不同的输入电流其传输比不一样。如输入2ma时的传输比200%，输出即为4ma。

5、虽然两个是常用的光耦，但是他们的参数有一个最主要的不同就是耐压！vceo pc817的vceo只有35v，tlp521的是55v。能不能代换要看你的具体应用，你先判断你的应用，光耦ce脚间电压不超过35v。就基本能代用的。

6、一般同一个型号光耦的都会根据CTR分几个档次的。这个有点类似于三极管，根据直流放大倍数不同，分为几个档次。

高速线性光耦型号

1、 常用的线性光耦是 PC817A —C系列。通俗的区分是档位不同，PC817分A，B，C，D，书面上称为电流传输比（CTR）不同。

2、有高速光耦。PC817是线性光耦，要频率高（开关信号），那就可采用非线性光耦。

3、常见光耦型号及使用注意事项 光电耦合器(简称光耦)是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

4、HCNR200型号。HCNR200型号的光耦合器作为一种高精度线性光耦，具有低成本、高线性度、高稳定度等多种优点，能够完成多种光电隔离转换电路的设计。

5、p781光耦是光纤传输，pc817光耦是光电传输。光耦817是亿光光电耦合器的一种型号EL817，是一种把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管座内的器件。

6、不适合于传输模拟量。 常用的4N系列光耦属于非线性光耦 。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。 常用的线性光耦是PC817A—C系列。

请问,如果输入电压是24V,那么光耦分压是多少?光耦导通时电压是多少?

光耦的导通电压是0.7v左右。因为光耦的工作部件是一个发光二级管，他的导通电压跟一般的二极管是相同的。光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

如果你要精确的24v，3脚接+28-30v，同时在4脚到地的10k电阻上并联一个24v的稳压管。

可以，负载的输入阻抗要非常大，大到可以忽略串上一个7K电阻的分压。换句话说，让7K电阻上的分压小于0.5V（约240K左右）则输出电压＞25基本上还是24V。

光耦导通时，1脚处的电压大约是25V左右。

不是。光耦的发光管导通电压和普通发光管一样都在5V以上。一般的光耦内部电路都简单，输入是发光管，隔离输出部分是三极管。光耦主要使用在需要将输入输出、端口电气隔离的电路。

光耦最低工作电压驱动电流在2到20毫安。光耦的输入端实际上就是一个发光二极管，当给此二极管加上正向3伏到24伏的直流电压后，输出端的导通电阻就会从无穷大变到只有几十欧姆。

线性光耦在功放中的应用

1、典型应用：音响功放保护和控 制、音控 制和电气隔耦合、灯光调整和马达调速、通信传输和自动控 制。

2、ca20功放中光耦的作用是隔离电气电路。根据查询相关资料可知，信号可以以光的形式传输，ca20功放中光耦通过光传输电信号，可以有效隔离电气上的输入和输出电路，将侧电路进行有效的电气上的隔离，具有良好的抗干扰效果。

3、抗干扰。光耦的作用是把输入、输出侧电路进行有效的电气上的隔离；可以以光形式传输信号；有很好的抗干扰效果。

4、由于线性光耦在使用过程中引入了反馈机制，所以不适用于被测信号变化太快或者频率很高的场合。

5、由于光耦种类繁多，结构独特，优点突出，因而其应用十分广泛，主要应用以下场合：⑴ 在逻辑电路上的应用⑵ 作为固体开关应用⑶ 在触发电路上的应用⑷ 在脉冲放大电路中的应用光电耦合器应用于数字电路，可以将脉冲信号进行放大。

6、凡是回授到放大器输入端的反馈信号起加强输入原输入信号的，使输入信号增加的称正反馈，反之则反。正反馈电路多应用在电子振荡电路上，而负反馈电路则多应用在各种高低频放大电路上。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。

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