mos管基本电路（mos管基本电路设计）

发布时间：2023-05-16

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本文目录一览：

1、谁能帮我分析一下这个mos管的电路
2、【求教】MOS管开关电路。
3、MOS管开关电路？
4、MOS管在开关电路的作用
5、mos开关电路怎么连接
6、mos管通俗易懂的工作原理是什么？

谁能帮我分析一下这个mos管的电路

这个电路是典型的USB_OTG电路：当外接USB是DEVICE设备时，板上的USB_ID引脚被检测到悬空或者上拉，此时MCU_OTG_PWEON输出高电平，Q8导通，G集被拉低，5V向VCC5V端供电，同时板上设备可以对外接DEVICE设备进行读写操作（比如电脑外接U盘或粗野碰者手机）；同理，当外接USB是HOST设备时，板上的USB_ID引脚被检测到下拉，此时MCU_OTG_PWEON输出低电平，Q8截止，G集被Q6或Q7中D到S电平较高的PMOS上拉，同时外接HOST设备可以对板上设备进行烧写程序（好比电脑刚生产出来需要烧写驱动程序一样）。所以，脊带Q6，Q7的接法并没有错，当然，楼上说的也没有错，不管何种状态，都会有一个PMOS导通，这是为岩谈了保证G集电平的确定性，这就是为什么有个10K的R103电阻的原因。望采纳。

【求教】MOS管开关电路。

MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制的时候宏塌需要轿贺考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性闭绝派。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。

MOS管开关电路？

MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:

当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使竖行得Mos打开，D S两极之间导通，压降为零，阻抗较小轮纤槐，零点几欧姆；

同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D S两极之间阻抗腊友很大；

所以，G极就是控制极；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。

mos管基本电路（mos管基本电路设计）

MOS管在开关电路的作用

MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅举链极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。

N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。

扩展资料

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

PMOS集成态世电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。

MOS场效应晶体管具有正闭孙很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。

参考资料来源：百度百科-mos管

mos开关电路怎么连接

MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。

一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与友携漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极串多大电阻均扰升能导通。但如果要求开关频率较高时，栅对地或VCC可以看做是一个电容，对于一个电容来说，串的电阻越大，栅极达到导通电压时间越长，MOS处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻较大，发热也会增大，极易损坏MOS，所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。

MOS开关电路

MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以缓告老导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。