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1、三极管的功耗=管压降*电流,与工作状态无关,但管子的电压与电流均不能超出该管子的极限参数。
2、这是三极管的参数,最大电流不能超过8安培,最高电压不能超过120伏,最大功率不能大于80瓦,任何一项超标则会损坏三极管。
3、饱和电流×饱和压降=耗散功率。三极管输出的功率,随输出电压不同,输出功率不同,电压越高,功率越大。
1、小信号放大,三极管实际工作电流一般较小,集电极与发射极间的电压Vce在(1/2--1/3)EC之间,三极管耗散功率Pc=I=Ic*Vce, 这个数值比较小,远远小于PCM。
2、三极管的功耗=管压降*电流,与工作状态无关,但管子的电压与电流均不能超出该管子的极限参数。
3、W指的是三极管的耗散功率,而不是负载功率。它的负载功率比耗散功率要大得多,额定电压乘以额定电流才是它的最大(极限)负载功率。
4、图中 Ic 就是Y轴,Uec 是X轴,中间略平行于X轴的线束,是基极电流 Ib,每一条线代表某一个定值的 Ib。
小信号放大,三极管实际工作电流一般为几个毫安,集电极与发射极之间的电压UCE在(1/2--1/3)EC之间,三极管耗散功率PC=IC*UCE,这个数值比较小,远远小于PCM。
饱和电流×饱和压降=耗散功率。三极管输出的功率,随输出电压不同,输出功率不同,电压越高,功率越大。
理想OTL的输出最大功率Pm=(Vcc)^2/(8RL),代入数据:Pm=64/16=4W。电源提供的功率Pc=(Vcc)^2/(2πRL),代入数据:Pc=64/156=1W。此时每个三极管的管耗Pt=(Pc-Pm)/2,代入数据:Pt=1/2=0.55W。
Ic是指三极管的c极(集电极)的电流。Ic(的变化)是多大,是要看从基极流到发射极的电流Ib来决定的,一点点小的Ib变化,就能导致很大的Ic变化,这就是所谓的三极管的放大作用。
理论上Ic是255mA,这个Ic是可流过集电极的最高电流,具体实际电流要根据电压和负载的电阻而定(I=U/R),三极管到达保护区可视为开关作用。
Ic是指三极管的c极(集电极)的电流。ICM是三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流。
就是说当Ic电流为8A时,Vce不能大于10V,或者在Vce为120V时,Ic电流不能大于0.67A,至于供电电源的电压就要看电路的设计了。不过不建议在这种极限状态下工作,因为其他的参数(例如hfe等)会变化很大的,而且对于这种大功率管一定要加散热。
几乎无电流通过,所以功耗也很小。在线性放大状态,由于Uce有一定电压,所以功耗会大一点,三极管功耗会通过发热表现出来。比如常见的模拟功放,功率较大的话,三极管必须加足够散热片才能用,不然因发热很快烧坏三极管。
极限参数,保证管子工作安全,例如击穿电压、最大电流、功耗。直流参数,设置静态特性,例如穿透电流、饱和压降、Hfe等。交流参数,高频状态下的工作能力,例如特征频率fT、增益Kp、结电容Cob等。
三极管在工作时,集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大,三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作,将会损坏三极管。
一般来讲,三极管手册里给出的参数都是在一定温度下测得的,要保障三极管始终工作在规定的温度下,只有使用散热片!记得有文章举例说:国产三极管3DD15,金属封装的50W,如果不采用任何散热措施,他的最大功率不超过5W。
三极管消耗的功率应该与电流、饱和压降的关系最大。三极管耐压:电源12V,任何三极管的耐压都远大于12V。所以在此不用考虑。不过电机会产生感应电势的话另说。但此图已有消吸收电路。综合来看,用中功率管应该可以了的。
一般的低频管都行。三极管的功率与他的集电极电流直接有关,是成正比的,与他的集电极、发射极压降直接有关,也是成正比的,所以选择三极管应该多加一些功率预留量,保险起见,应该2倍以上的余量。
1、V*6A是开关电源最大的使用功率,这部分功率还要加上损耗的功率才会等于输入功率220V6A,这中间的损耗功率,把两者相减就是了。
2、根据公式Pcm=(Tjm–Ta)/Rt。晶体管最大耗散功率是晶体管功率的耗散即发热,晶体管最大功耗算法是根据公式Pcm=(Tjm–Ta)/Rt。
3、钢管损耗率计算公式是损耗率=(损耗量/总用量)×100%。根据查询相关公开信息显示损耗率通常直管损耗一般在3%左右,弯管在6%左右,渐变管一般在10%左右。
4、单管管耗损耗率=(损耗量/总用量)×100%。损耗率通常直管损耗一般在3%左右,弯管在6%左右,渐变管一般在10%左右。
5、当Vom=(1/2)V时可以获得最大输出功率,最大功率:Vom=Vcc^2/(8RL),当输出功率为0.6Vom时三极管的管耗最大,最大管耗约为0.2Pom。
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