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三极管为什么会倒相放大 这是三极管采用集电极输出电路 在三极管基极加上一个电压 集电极就会产生电流 集电极接有负载就会产生压降 所以基极输入电压越高 集电极输出电压就会越低 输入和输出电压相反 这就是三极管的倒相放大原理
这个很好理解，首先交流量就是电压的波动量，三极管射极有电阻，集电极电知如世流受基极控制，并且在交流通路下射极是存在电阻的，你的输出端其实就是射极的对地电压，然后你在基极和射极间加了交流电压…上面理解后，具体如下：当你加的交流电压达到峰值时，基极电流变大导致射极电流变大，从而导致加在电阻上的电压变大，而电阻电压加上集电极电压恒定等于电源电压，所以这个时橡迹候集电极也就是你的输出端电压变小，从交流分量上反映，是搭肢出现了极小值波谷，相位相差了180，所以称为反相器，只要接一个藕和电容和射极跟随器就可以把交流的分量提取出来了…
把发射极当作集电极、把集电极当轿森举作发射极使用，叫做倒置。倒置使用一样是作为一个三极管，但是它是一个β很低的三极管闭碧，有时需要这种春吵三极管。当然倒置使用击穿电压也比较低。
教授的水平不行啊。知识体系过于陈旧了。
对于NPN：B是基，C是集，E是射极。
C/E的重要区别是掺杂水平不一样，E的掺杂浓度要高得多。所以CE反转之后，C的空穴电流增加，导燃丛州致beta下降，就是电流增益会减小。如果你用在高频，管子性能会下降很多。
电压承载能力下降。CE反转之后，BE结在反偏，但是BE不是用来承载高电压的，所以管子的耐压下降，很容易就击穿了。这也皮蔽是为什么C极的掺杂水平不能太高的原因。
B极很薄（越薄，高频性能越好，fT越高）。它的这种效应导致前向beta增加，反向beta也会增加。
从NPN的工艺上来看，NPN是垂直结构，E在上，B在中间，C在下边，这样CE反转后不可能完全对称，对吧？本来。看如下图：
那么CMOS就不一样了，CMOS是水平结构，漏极D和源极S是对称的（看图），左右翻转是没问题的。如果有CMOS IC版图设计经验的人都明白。我说的是集成电路设计。
综上所述，NPN你可以那么用，但是要注意对性能的影响。也取决于你的工作频率。如果你对开关导通电阻和郑或时延不在乎，那么是可以的。对于CMOS是没问题的，假设是制作成这种对称结构的。
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