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对mos管（对MOS管的基本讲解）

发布时间：2023-06-30
阅读量：46

本文目录一览：

mos管的作用

1、mos管的作用如下：MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。

2、MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。

3、MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。

4、MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。

5、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

6、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

对于mos管来说直流电源内阻为零意味着什么

这样电源就无法满足越来越高的直流电压要求，所以在三极管放大电路交流通道中，就要用电容把直流电压置零。

自感电动势当然会抵消部分电源电动势，但这个抵消是与“电源对着干”的抵消。

与内阻是分压关系 电压源的内阻相对负载阻抗很大，负载阻抗波动就会改变电压高低。负载阻抗与内阻是分压关系，影响电压的稳定性！所谓理想电压源就是无论负载电阻如何变化！电路电流如何波动，其电源内阻永远为零。

电路中的电源标志表示直流电源，电池也是一种直流电源，长代表电源正极，短表示电源负极，它可以有内阻。恒定电源一般指恒压源，内阻为零。

可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关。MOS管为压控元件，只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小，常说的精典是开关作用。

你好：——★【对于交流电源】：不同值的电压源并联，空载时会有电流在两只变压器中流过，电流值是：两个变压器的电压差÷两个变压器的内阻。因该电流在两个变压器之间流动，在业内也被称为变压器的“环流”。

我这样对mos管工作状态的理解对吗?请判断下

1、逻辑正确，还稍有点问题：Q1截止时，如果没有后面的Q2，则RR3会将电压平分；不过这里Q2基极电压受BE结正向压降限制，不会是65V了，而是约为0.7V。

2、判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。

3、表述不全面。工作在截止区的条件正确表述是：文字表述：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。符号表示：Ub=Uon(开启电压)且UcUb。2首先BC应该是不恰当的，对于晶体三级管BC电压无意义。

MOS管的宽长都增加一倍,对MOS管性能有什么影响?

Mos栅宽对跨导的影响是由于栅宽增加会使沟道宽度缩小，导致漏电流增大，从而影响MOS的跨导特性。当栅宽增大，漏电流增加，使得MOS管的跨导变大，因为跨导是漏电流的导数。

宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。如果只是用来做驱动的话，根据负载能力确定宽长比。

这种情况的话，它的主要区别的话就是它的流量是完全不一样的，而且使用效果也是不一样，在这方面影响还是比较大的。

MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快。

MOS管的跨导的大小对MOS管有什么影响

1、MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快。

2、在MOS管的制造过程中，通过调整MOS管尺寸可以调整其特性，如阈值电压、输出电流等，并影响其跨导的大小。总之“跨导”和“尺寸”是MOS管的两个重要的电学参数。

3、跨导值越大，意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化，意味着放大作用更大。跨导和漏极电阻的乘积，等于共源放大器的空载电压放大倍数（空载电压增益系数）。

4、与漏极变化的电流和栅源电压有关，电流越大跨导越大，电压越小，跨导越大。低频跨导gm 是在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。

5、这个电路单元通常指放大器。跨导放大器的增益(该放大器输入电压变化时，输出电流将随之线性变化)。在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。

mos管的详细介绍

首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

关键词：负载电阻 电容 普通三极管 电阻 三极管放大电路 对mos管 晶体三极管 可变电阻 mos管

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