ha7三极管的简单介绍

发布时间：2023-05-16

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本文目录一览：

1、三极管如何替换？
2、关于三极管替换
3、三极管的国际命名法

三极管如何替换？

购买与原装相同型号的三极管，是可行的。有个前提是：原来三极管损坏是原来三极管本身质量不好，或者是因为偶然因素造成的损坏。如果是因为另大亏外的元件损坏了，造成三极管损坏，那么如果损坏了因素不排除，你换上新的三极管，依然会造成损坏。

通常三极管外壳上没有参数，只有型号。模糊不清了也贺销不要紧，禅仿游你已经从另一个好电路板上知道了它的型号，就可以了。

一般买来的三极管，可以不测，要测也是用万用表简单地测一下，有万用表就测一下；没有表，不测也无妨。

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关于三极管替换

晶体三极管的代换，可以用性能好的代换性能差的，用参数高的代换参数低的，可用开关管代换普通管：在保证PCM不低于原管的前提下，可用高频管代换低频管，用复合管代换单只管。

具体方法：

1.用同类导电类型的管子代换这是前提，PNP型的管子就PNP型的代换，NPN型的管子用NPN型的代换。

2.集电极最大允许电流（ICM）不得低于原管。

3.集电极允许最大耗散功率（PCM）不得低于原管。

4.两个PN结反向电压（BVceo）的耐压值应足够高，否贝管子易击穿，对于阻容耦合输出的电路，此值应大于电源电压：对于变压器输出的电路，此值应大子电源电压的2倍庆搏旦：对于工作于脉冲状：态、负蛾为电感元件的电路（工作中可感应出很高的电动势），此值应大于电源电压的几倍至几十倍方可。

5.管子的电流放大倍数B符合电路要求即可，并非越高越；好，如果管子的B值太低，则不能适应电路应具备的工作任务：如果管子的B值太高，则电路工作不稳定。若要求代换的管子与另一管子配对，应选与另一管子相匹配的B值，否则工作将不对称，一是会发生失真誉扰，二是B值高的管子易烧坏。

6.注意代换管子的特征频频率fT，一般fT高的管子增益高，噪声低，对于工作在低放、中放、高放、振荡和开关状态的管子，其fT都应高于实际工作频率上限的5倍～10倍，如可用3DG类型的管子代换3DX类型的管子。

7.注意管脚的排列位置，不可弄错，如2SD、2SD系列的日产管，是按e、b、c的顺序排列的，但型号后有R的管子，却按e、c、b的顺序排列，使用中不能单凭经验，最好用万用表检测一下管子的好坏，并准确判断出管脚再代用。

8.要满足管子的特殊参数，如噪声系数、饱和压降等特别要求，例如高频头公共通道用的中放管，要注银稿意其AGC性能，并要区分AGC是正向的还是反向的。

三极管的国际命名法

集成电路的命名目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们识别集成电路带来很大的困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。（只写了前缀〕 1.National Semiconductor Corp.（国家半导体公司〕 AD：A/D技术'转换器； DA：D/A转换器； CD：CMOS数字电路； LF：线性场效应； LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕； LP：线性低功耗电路。 2.RCA Corp. (美国无线电公司) CA、LM：线性电路； CD：CMOS数字电路； CDM；CMOS大规模电路。 3.Motorola Semiconductor Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司) MC：密封集成电路； MMS：存储器电路； MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路。 4.NEC Electronics,Inc. (日本电气电子公司) uP: 微型产品。 A：组合元件； B：双极扒历磨型数字电路； C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路。烂肢例：uPC、uPA等。 5.Sanyo Electric Co.,Ltd. (三洋电气有限公司) LA：双极型线性电路； LB：双极型数字电路； LC：CMOS电路； STK：厚膜电路。 6.Toshiba Corp. (东芝公司) TA：双极型线性电路； TC：CMOS电路； TD：双极型数字电路； TM：MOS电路。 7.Hitachi,Ltd. (日立公司) HA：模拟电路； HD：数字电路； HM：RAM电路； HN：ROM电路； 8.SGS Semiconductor Corp. (SGS半导体公司) TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路； HB、HC：CMOS电路。例：TD A 后\\\'A\\\'为温度代号。部分集成电路制造公司名春斗称及型号前缀先进微器件公司〔美国〕 AM 模拟器件公司〔美国〕 AD 仙童半导体公司〔美国〕 F、uA 富士通公司〔日本〕 MB、MBM 日立公司〔日本〕 HA、HD、HM、HN 英特尔公司〔美国〕 I 英特西尔公司〔美国? ICL、ICM、IM 松下电子公司〔日本? AN 史普拉格电气公司〔美国〕 ULN、UCN、TDA 三菱电气公司〔日本〕 M 摩托罗拉半导体公司〔美国? MC、MLM、MMS 国家半导体公司〔美国〕 LM、LF、LH、LP、AD、DA、CD 日本电气有限公司〔日本〕 uPA、uPB、uPC 新日本无线电有限公司〔日本〕 NJM 冲电气工业公司〔日本〕 MSM 飞利浦元件公司〔荷兰〕 HEF、TBA、TDA 三星半导体公司〔韩国〕 KA、KM、KS 山肯电气有限公司〔日本〕 STR 三洋电气有限公司〔日本〕 LA、LB、LC、STK SGS电子元件公司〔意大利〕 TDA、H、HB、HC 夏普电子公司〔日本〕 LH、LR、IX 西门子公司〔德国〕 SO、TBA、TDA 西格乃铁克斯公司〔美国〕 NE、SE、ULN 索尼公司〔日本〕 BX、CX 东芝公司〔日本〕 TA、TC、TD、TM2一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用

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