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自制mos管功放（mosfet 功放）

发布时间：2023-07-01
阅读量：34

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自制功放大功率的

就是用TDA2030集成块组装，这是一个很不错的功放快，只要按照电路图要求焊接无误绝对成功，功率也不小，音质确实不错，带动6吋低音喇叭声音很震撼，尤其作为电脑桌面音响很是理想。其次还可以用MP手机音频输出作为音源。

输出功率有50-100瓦。我去淘宝看了，已经没有了，只有stk4121厚膜集成块，电路非常复杂，就不推荐了。建议你先做个5瓦功放板（百度有图纸资料），等你具备一定的电子基础知识，再做10瓦，做好了，在做50瓦功放。

要简单的就集成功放，比如傻瓜175双24V供电散热良好的情况下可以有五十瓦功率，再比傻瓜简单点的估计没有了。买个60瓦的环型变压器。再买4只大功率镇流二极管，2只2200UF/35V的电容。傻瓜功放有电路。

利用运放TDA2030A制作的功率放大器。电源电压为±12V至±22V，输出的最大功率为18瓦。该电路为深度负反馈电路，输出电压的放大倍数约为Av=R1/R2=32点3(具体放大倍数请参考模电书籍负反馈部分)。

环形变压器500-600瓦，电容1万左右，差分管mpsa492激励a1145c270推动管a1306c329电流a1943c5200.电路图可参照一些全对称电路。

用90类三极管做一个简单功放〔电路图详细〕

搭了一个电路，可以称得上是功放电路。（对于最简单的单管放大电路只能是放大电路，但没有功率放大功能。）电源电压3-6V均可。拆一个2822两个外围元件搞定，音质好，功率大。9013和9012才是配对管。

此功放电路如图所示，输入极（9014）的基极工作电压等于两输出极三极管的中点电压，一般为电源电压的一半，这个电压的稳定由输出三极管的基极的两个二极管控制。3欧姆电阻串联在输出三极管的发射极上，以稳定偏流。

电路如图，把三极管8050换成9014即可。RB用150K电位器代替可以调整阻值，RC=3K，三极管放大倍数取50-100都行。

长引脚为光电管内部二极管负极，但由于光电二极管反用，因此长引脚将接电源的正极，所以把长引脚确定为正极。

三极管小功放差不多都这结构（点击下图），MP4用不如用小功率双声道的集成电路TDA2822。下面的图是我自己做过的最简单的，能用但音质不怎么好。参考资料的链接是上次贴的图网址。

三极管选择9014或者3DG6，电源电压6伏，RB1=100K(电位器），RB2=10K，RE=1K，CE=50微法电容，RC=2K，C1=C2=10微法，三极管静态电流IC=5毫安。β=30-100均可。这个电路可以对小信号（几十毫伏）的放大20倍。

如何用mos管制作大功率方波发生器?

将555的方波输入射极跟随器，就能达到功率放大的目的。射极跟随器的输入端在基极，信号输出端在发射极，楼主可以在网上查查资料，附图也作了示意。 如果一级放大还不够，则可以使用大功率复合管。

用一片运放做一个1：1的跟随器电路，输出接场效应管的栅极，场效应管的源极和漏极一个脚通过0.733Ω电阻接地，另一个脚通过负载电阻接24V电源即可。

普通MOS管不能做频率多高的高频放大电路，除非一些HEXMOS可以做一些短波段的，最好去选VDMOS或者LDMOS之类的管子，但是高频管子都比较昂贵哦。一般高频管子的datasheet都有参考电路去看。

步进电机是需要驱动电路的，可以自己采用MOS管搭建，也可以直接购买驱动板。

单片机产生方波控制信号，你需要个Mos管 source 和gain 端和电源电机串联，方波连接Mos管gate端实现控制。

MOS管功率放大器电路图的硬件电路设计

1、输出尽可能大的功率。本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。

2、该电路由电路稳压电源模块、带阻滤波模块、电压放大模块、功率放大模块、AD转换模块以及液晶显示模块组成，图1所示是其组成框图。

3、Q1Q2是两个反相器，即Q1Q2必须工作在开关状态，饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。

4、从MOS管的主要特性可知，MOS管电路不但工作的基本条件依赖于直流偏置，其使得MOS管一直工作在一个固定直流工作点上，而电路的功能只要是处理交流信号，例如对于交流电的信号放大。

5、电路原理图：单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

6、较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。

场效应管特性及单端甲类功放制作全过程

VMOS管的结电容不随结电压而变化，无一般晶体管结电容的变容效应，可避免由变容效应招致的失真。 频率特性好。

如图所试：这是一个用3DJ6结型场效应管制作的单管放大器，其中电路元件参数：C1=0.1微法（无极性电容），C2=10微法50伏电解电容，接D级一端为正极。CS=7微法50伏电解电容，接地端为负极。

电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。

关键词：电位器 自制mos管 极三极管 三极管8050 三极管的发射极 mos管功放 光电二极管 电容 镇流二极管 mos管 3欧姆电阻 三极管放大倍数 电阻

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