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mos管3055参数（mos管50a）

发布时间：2023-07-01
阅读量：39

本文目录一览：

请问一下,做开关电源,选择MOS管的时候主要考虑哪些参数?谢谢!

1、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

2、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。

3、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

4、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

5、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

哪位高手知道仙童FD3055到底是场效管还是双极型晶体管,说它是双极型...

1、单极晶体管即场效应晶体管，因为场效应晶体管在工作时，半导体中只有多数载流子起主要作用，所以又称为单极晶体管。

2、N3055是NPN型大功率三极管，他的工作原理和场效应管的原理完全不一样，不能直接代换。 它的参数是：2N3055 NPN 功率放大 100V 15A 115W 。 如果换只能改电路。 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

3、双极型晶体管双极型晶体管也称晶体三极管，它是一种电流控制型器件，由输入电流控制输出电流，其本身具有电流放大作用。它工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称为双极型三极管。

4、最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

5、双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。

MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚?

1、测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极，若是好的管子，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）。用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。

2、用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。

3、可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

4、原理：利用万用表的两表笔给G-S充以正向电压，则D-S或S-D电阻很小。反之，两表笔给G-S充以负向电压，则D-S或S-D电阻很大，用万用表测应该是无穷大。做法：设A、B、C三引脚。

5、数字万用表用二极管档”蜂鸣档“，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。

6、加上MOS管的开启电压很低，只有零点几伏，所以此时测量D-S间导通状态就显示导通了。如果红表笔接D，黑表笔接G，则相当于给G极施加反向电压，D-S间就截止了。

...说多少安培的MOS,耐压多少伏特的MOS,具体是指MOS管的那些参数...

1、N65是15A，650V，N沟道功率MOSFET 20N60是20A，600V，N沟道功率MOSFET 20A电流大于15A，是可以的。600V电压少于650V，这个就不一定了，如果负载小于600V就可以，如果负载大于600V，就不行了。

2、还行。mos管d1985效果还行，是硅npn型大功率三极管，耐压值是60伏，最大集电极电流3安培，耗散功率为25瓦。

3、伏20安的控制器用MOS0.115A，TO-92的管子。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。

4、只要型号没错，电流就可以，电子元件的工艺进步很大。

一般功率mos管的导通电流参数如何选择?

1、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

2、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。

3、法则之二：确定MOS管的额定电流 该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

4、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

5、MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

6、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

关键词：功率三极管 mos管 双极型三极管 晶体三极管

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