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P沟道MOS管工作原理:金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型启衡旅硅衬底悄凳上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,栅极上加有足够的正电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为衔接源极和漏极的沟道。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型拦歼场效应晶体管。
45P40,VDS =-40V,ID =-50A RDS(ON) 13mΩ @ VGS=-10V,TO-252
28P55,VDS =-55V,ID =-30A RDS(ON) 40mΩ @ VGS=-10V,TO-252
。。。
还有晌态启封装形式要注意。
TO220的有IRZ44/60N06,宴如还有一些性价比高的国产MOS管闭好。
海飞乐技术有很多规格参数:20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封族余燃装有:TO-220,TO-247,毁档TO-3P,SOT-227。兆虚台湾工研院技术支持。
MOS管有N沟道和P沟道两类氏拆闹,每一御唯类又分为增强型和耗尽型两种。即:N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号,你歼罩可以在网上搜一下,有MOS管型号对照表。
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制构成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类源谨。
一、结型场效应管(JFET)
结型场效应管的分类:结型场效应管有两种结构形式,它局薯们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极,它们是:栅极;漏极;源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例),N沟道结构型场效应管的结构及符号,由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚,则漏、源极之间导电的沟道越窄,漏极电流ID就愈小;反之,如果栅极电压没有那么负,则沟道变宽,ID变大,所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化,就是说,场效应管是电压控制元件。
二、绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管(MOS管)的分类:绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管,简称MOS场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的雹腊基状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。场效应管的工作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型;当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
P型MOS管的导通条件:
靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。
P沟道mos管作为开关弯亮,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压前改差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V。
如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw,那么mos管不导通,D为0V,所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使埋悔宽mos管关断,低电平使mos管导通。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V,那么GPIO高电平的时候为1.8V,GS为1.8-2.8=-1V,mos管导通,不能够关断。
GPIO为低电平的时候,假如0.1V,那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。
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