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硅三极管和（硅和二极管）

发布时间：2023-07-01
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硅材料和锗材料的三极管有什么区别?

你好：——★由于采用的半导体材料不同，锗管和硅管两者的主要区别是：锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。

用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

子结构不同。锗原子 ~核束缚核外电子的能力比硅弱，故锗的核~~外电子很容易从外界获得能量（譬如：热能）而脱离原~~~子核的束缚。故锗管的压降低于硅管。这也是锗管热稳定性差，Iceo大的主要原因。

锗三极管电极的判别和硅三极管基本是一样的，参数有稍微不同，锗三极管正向电阻小一些，带电测量时结电压是0.2V，而硅三极管结电压是0.7V。锗三极管比硅三极管稳定性差些，所以现在大部分都是硅管。

区分三极管是硅管还是锗管的两种方法：让该管工作在放大状态，测Vbe电压（基极与发射极的电压），如果电压Vbe=0.3V则是锗管，如果Vbe=0.7V则是硅管。看型号上标明的是硅管还是锗管。

谁有可控硅和三极管的详细资料?

1、双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。

2、可控硅的结构：内部有相互交叠的4层PN区组成，有三个PN结，三个电极，即阳极A 阴极K 控制极G .三个PN结实际构成了两个相互连接的三极管。一个是PNP，一个是NPN ，每个管子的集电极连接导另一个管子的基极，形成正反馈。

3、三极管 sān jí ɡuǎn 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。

4、三极管与可控硅是两码事；三极管具有放大作用，就是基极输入的电信号，可以有倍率的放大；而可控硅是没有这个作用的，在控制极上给信号，可控硅就导通，可以把它看做一个可控制导通和断开的二极管。

大功率的硅三极管B极和E极之间的导通电压还是0.7V吗?

1、电压高于pn结的导通电压即可导通，0.7v左右。

2、发射结导通后，B、E 之间的电压就在 0.7V 左右，这是 PN 结的正向压降。电流大，压降会略高些；电流小，压降也会略低些，但不会小于 0.65V（硅管），否则就不导通了。

3、①、向这硅三极管BE极的导通电压在0.6V~0.7V之间即可导通工作，不是说非得大于0.7V才能导通的。

三极管和可控硅有什么分别

三极管与可控硅是两码事；三极管具有放大作用，就是基极输入的电信号，可以有倍率的放大；而可控硅是没有这个作用的，在控制极上给信号，可控硅就导通，可以把它看做一个可控制导通和断开的二极管。

不一样的。虽然都是三条腿的家伙，但各自的功用是大不相同的。三极管分：NPN型硅、锗管。PNP型硅锗管。管脚分基极b、集电极c和发射极e。其主要作用是电流放大、小电流控制大电流等。晶闸管俗称可控硅。

可控硅主要应用于无触点开关，调速，调光，稳压，变频等方面。可控硅的结构：内部有相互交叠的4层PN区组成，有三个PN结，三个电极，即阳极A 阴极K 控制极G .三个PN结实际构成了两个相互连接的三极管。

而可控硅也就是晶闸管，常用于电力电子电路中做整流使用。

可控硅，阳极与阴极间有两只反向PN结，用表测量电阻极大；只有门极与阴极是PN结，正反间电阻相差很大；只要电极间符合这个现象的，那就是可控硅了。

硅三极管基级和发射级的之间的电压到底是多少?

通常认为是0.65V，这是在典型条件下例如Ib=1mA或5mA时，不同晶体管的典型条件并不相同。第二个描述是一个理论公式，解释了Vbe随Ib变化的特性，事实上Vbe确实随Ib而变，当Ib增大时，有的管子可达1V以上。

加在三极管基极与发射极之间的电压叫基极偏置电压，三极管导通时一般硅管为0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

工作中的三极管，基极和发射极间的电压硅管约0.7伏，锗管约0.3伏；放大区的电压为：电源电压减0.7伏（硅管），（锗管减0.3伏）；饱合区电压硅管小于0.7伏，锗管小于0.3伏。

硅材料三极管和锗材料三极管的导通电压各是多少v?

1、加在三极管基极与发射极之间的电压叫基极偏置电压，三极管导通时一般硅管为0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

2、一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V 二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差 硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。

3、一只三极管是由两个PN结组成。因此，硅材料三极管需要4V以上才能导通；锗材料三极管需要0.6V以上。三极管导通后，它的压降就等于该管本身的饱和压降了ces，通常很小、只有零点几伏了。

4、PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

5、三极管导通时，c、e间电压可低至0.1v，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。

6、三极管两个PN结，b-e和b-c，一般b-c结的导通电压会大于b-e结的导通电压，原因是两个结的大小和两个结的电阻大小有关。

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