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mos管的作用如下:MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压,电机调速等方面。
MOS管作用:用途广泛,包括电视机高频头(高频,小电流)到开关电源(高压大电流),现在把MOS和双极型(普通三极管)复合在一起(IGBT,绝缘栅双极型晶体管),广泛应用于大功率领域。
MOS管的主要作用是放大电信号,用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应,即当PN结处于反向偏置状态时,其电阻非常大,电流几乎为零。
MOS管:场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管,输入阻抗高,输出呈电阻态。
因为MOS管主要为配件提供稳定的电压,所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管,而内存插槽共用一组MOS管。一般来说,MOS管两个一组出现在主板上。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
1、MOS场效应管属于电压控制元件,这一点类似于电子管的三极管,但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的。通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中,MOS主要是判断电位,它在主板上常用“Q”加数字表示。
2、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。
3、MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。
工作原理:MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET,其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点,如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
在金属中,响应外加场的电子密度非常大,以至于外部电场只能穿透很短的距离进入材料。然而,在半导体中,可以响应外加场的较低密度的电子(可能还有空穴)足够小,以至于场可以穿透到材料中很远。
1、从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
2、你的不足在于,没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子,衬底是B,而且是P型半导体,B与源极S连在一起。
3、当uGSUTN之后,只要在恒流区,转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡,表示uGS对iD的控制作用越强,也即放大作用越强,且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。
4、在该区域UDs值较小,沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时,ip与uDs成线性关系,该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。
5、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道,而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
6、沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了。沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所以叫“反型”层)。
mos管叫场效应管,mos管和三极管不能直接代换,因它们的工作机理不一样。mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器件。
mos管也是三极管。我们常说的三极管其实是BJT它是电流型控制器件,用基射电流控制集射电流。他们的关系是 Ice(集射电流)=βIbe(基射电流)。
MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
不是,区别很大:一个是电流驱动型(三极管);一个是电压驱动型(MOS);三极管便宜,mos管贵。三极管损耗大。mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的。
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