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开关电源mos管驱动（开关电源mos管作用）

发布时间：2023-07-02
阅读量：39

本文目录一览：

BUCK开关电源MOS管驱动电路怎么做?

建议：设计一个原理图，然后自己做板子调试。

使用p mos管，可以解决你这个驱动问题。或者使用驱动变压器，但是会增加成本并且体积增大。

可以用最基本的BUCK降压电路，采用功率MOS管作为开关管，用3525产生PWM波，占空比用24/500，该PWM波经IR2110放大增强驱动功率MOS管。BUCK电路网上很容易搜到，根据IR2110的中文资料可以连接出驱动电路。

如果位于高端，则需要有自举电路提供给NMOS驱动电压Vgs，如果是位于低端，则直接驱动即可。

MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极串多大电阻均能导通。

mos管开关影响母线电压

在使用MOS管设计开关电源时，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大...驱动电路并没有一种驱动电路是最好的，只有结合具体应用，选择最合适的驱动。

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MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM（脉冲宽度调节）控制，开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。

为什么开关电源的开关管一般是用MOS管而不晶体三极管

1、MOS管比三极管最大的优点是所需的驱动功率小。MOS是电压驱动，三极管是电流驱动。

2、近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管，之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势：输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。

3、既然三极管可以作为开关电源的开关，那么为什么还要用mos管？MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。

4、然后MOS管是电压驱动器件，三极管是电流驱动器件，同样的功率前者的驱动电路要比后者更容易。当然三级管也有耐压高的优势，所以就有了MOS管和三极管结合的产品，耐压高驱动容易---IGBT电磁炉里的功率管，单端就可以上2KW的功率。

5、mos管驱动要用图腾柱，是因为MOS管的栅极输入电阻极大，使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电。

6、而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。同时，mos的Rds小，压降小，自身的耗散功率就小。

开关电源的驱动电路该怎么选择或设计?

1、开关电源是利用现代电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。

2、计，还要考虑电气设计、电磁兼容设计、热设计、安全性设计、三防设计等方面。因为任何方面那怕是最微小的疏忽，都可能导致整个电源的崩溃，所以我们应充分认识到电源产品可靠性设计的重要性。

3、开关管的参数：开关管的参数包括最大电压、最大电流、导通电阻等，这些参数会影响到驱动电路的设计。驱动电路的输出应该能够满足开关管的最小驱动电压和驱动电流要求。

4、如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

5、在大功率开关电源设计中，为防止在启动时的高浪涌电流冲击，常采用软启动电路，本设计不重点介绍。 图5 系统组成框图 1整流滤波电路 采用全桥整流电路，如下图6所示。

6、要保证LED开关电源的使用安全，应选择有短路、过载保护和阻燃功能的产品。在LED开关电源使用过程中，电源由于短路出现起火，或者由于电源使用过载（电源使用超负荷）导致损坏的情况时有发生。

既然三极管可以作为开关电源的开关,那么为什么还要用mos管?

1、近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管，之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势：输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。

2、MOS管比三极管最大的优点是所需的驱动功率小。MOS是电压驱动，三极管是电流驱动。

3、增大充电电流是快速充电电容的关键所在。这样的充电电流同常达到安A级以上，这是单片机io口所不能达到的，所以我们需要用到三极管放大信号电流从而达到快速通断mos管的效果。

4、三极管：电流控制器件，输入阻抗低，以正电位控制居多。MOS：电压控制器件，输入阻抗高，选用不同极性可实现不同极性电压的控制，即正或负电位都可控制。

5、开关管是MOS管和三极管的一种用途，即用于控制电路导通和关断。区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。

6、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

为什什在开关电源的MOS管的基极驱动电阻上并个二极管,它能起到加速MOS...

那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。

电阻是用来保护MOS管，主要是限制驱动电流的作用。然后4148是用来加快关断速度的。

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

因为SW是电压跳变点，电平会在Vin和GND之间转换，而由于电容C4的两端电压不能突变，当SW的电平等于Vin时，BTST的电平也会突变，如果没有这个二极管，电流会倒灌入REGN。该二极管就是防止倒灌的。

不是栅-漏吧，应该是漏-源才是。这个是在制造过程中，MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起，而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS：不是故意加上去的。

一般是起保护作用，并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。

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