mos管分析（mos管总结）

发布时间：2023-07-02

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1、目前半导体元件包括：二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。

2、光电二级管，光敏电阻，光敏二级管，发光二级管等。符号为：若是感光元件，则在原器件中上部打两个向内的箭头，表示吸光的意思。若是发光元件，则在原器件中上部打两个向外的箭头，表示发光的意思。

3、半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等；半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。

4、③ 太阳电池。将光辐射能转换成电能的器件。1954年应用硅PN结首先研制成太阳电池。它能把阳光以高效率直接转换成电能，以低运行成本提供永久性的电力，并且没有污染，为最清洁的能源。根据其结构不同，其效率可达5%～20%。

mos管分析（mos管总结）

1、假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。

2、一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。

3、首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

4、驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高。buckboost电路mos管发热原因是驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高，重要的是进行正确的测试，才能发现问题所在。

5、分析这次MOS管故障的原因，根据开关电源以前的所了解的，一般引起MOS管发热的原因是：1：驱动频率过高。2：G极驱动电压不够。3：通过漏极和源极的Id电流太高。

6、问题不够详细，不过mos管发热一般有这么几种：负载过重，导致mos管过流发热。推动激励信号不足，导致mos管发热。激励信号过强，也会导致mos管发热。一般mos管工作温度都在120摄氏度以下，都可以工作的。

首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。

这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

Q83为P沟道MOS管，Q84为N沟道MOS管。RELAY1_SET_N为3V时Q83截止，Q84导通；RELAY1_SET_N为0V时Q83导通，Q84截止。

过程已经明白了前面mos管和电感构成BOOST升压电路。当mos管高频开关时，关断期间C343，C351的正极电压不止12V而回更高，所以导致Vbat端口输出电压更低。低到-100V？那不足为奇。

(2)交流通道提供了电路的基本功能特征，交流通道所引起的电路交流状态以静态为基础。不同的静态将会引起不同的交流状态特征，例如电流和电压的变化范围。

题主，这个电路是一个Buck电路，什么是Buck电路，就是降压电路。