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mos管失效分析（mos管失效是短路还是开路）

发布时间：2023-07-02
阅读量：78

本文目录一览：

mos管被高压或大电流损坏后,现象是开路还是短路

1、短路：电源无输出，保险可能烧断，或相关元件烧断，可能有糊味。

2、mos管对电压很敏感，一定不能过压；内阻过大，温度过高也能损坏。

3、在这种情况下输出端没有电流通过。 mos管的工作原理 当给定的正反馈条件满足后，若将控制电路中的控制电压加在栅源之间以形成负反馈回路，则可使晶体管导通而达到放大目的；反之亦然。

MOS管击穿之后会有什么现象

MOS管击穿之后会有什么现象：如果没有限流措施，击穿后管子将烧毁，甚至会砰一声炸裂。

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的操作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。

如果出现这样的状况的话，应该整个电路就会断路，所以在这方面的话一定要注意的，这方面的话是比较正常的。

是过流。原来不通的，由于耐压不够或耐热不够而导通了，是击穿，被电流穿透的意思。击穿因局部漏电致局部温升、温升加剧漏电形成雪崩而造成。击穿的结果状态一般是导通；过流的结果状态一般是断路。

除非严重损坏，比如过压或过流后，电阻变色发黑，三极管及场效管（MOS）等炸裂，电解电容损坏最明显的特征是上面鼓包了，其他故障无法直观看到，只能通过万用表测量后才能判定好坏。

MOS管失效

电压失效。雪崩失效（电压失效）也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

有可能会造成反向回路，尤其是马达电路驱动，对于上电和下电，都需要认真评估电压和电流的上升及下降速率，否则在上电和下电过程中，都容易造成MOS管损伤或失效。如果只是简单的更换MOS管，可能会失去一次改进设计的机会。

而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。

电动车制动失灵。MOS管失效，电动车的制动系统将无法正常工作，导致制动失灵，增加安全风险。

电压失效。mos管一脚有电另外两脚有时没电是由于电压失效导致的，并且超过达到了一定的能力从而导致MOS管失效，MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。

光mos继电器低温失效的原因和采取措施如下：温度效应：光MOS继电器中的MOS管受温度影响较大，当温度降低时，MOS管的导通能力会下降，从而导致继电器失效。

电路分析关于MOS电路,请问C1短路时为什么会导致截止?

SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。IGBT短路后能够退饱和（desaturation）进入线性区，电流不再增加，能够自我限流。

在负载短路的情况下，电路中的电流会急剧增大，这会导致器件（例如MOS管）承受的电流过大，超过其额定值，从而可能导致器件烧毁或损坏。

V时便认为负载电流到达了极限值，于是停止第1脚的输出电压，使第1脚电压变为0V、8205A内的放电控制管关闭，切断电芯的放电回路，将关断放电控制管。换言之DW01 允许输出的最大电流是3A，实现了过电流保护。

MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。当控制电压Vc较低时，MOS管的通道内的电流较小，导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。 目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。

电路中MOS管损坏问题

1、你好：——★MOS管属于电压控制器件，它的输入阻抗非常高，很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。——★请看附图。...图中100K电阻和9V稳压二极管作保护，可以把感应静电限制、消除。

2、你好：P-MOS 场效应管 AO4409 【栅极 → 漏极 】之间的耐压为 10V ，当电源电压 B+ 超过 10V 时就有可能击穿了。

3、内阻过大，温度过高也能损坏。雪崩损坏。如果在漏极源极间外加超出器件额定的电涌电压，而且达到击穿电压根据击穿电流其值不同，并超出一定的能量后就发生损坏。

4、MOS 损坏主要原因：过流 --- 持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压 --- 源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电 --- 静电击穿，CMOS 电路都怕静电；MOS 开关原理（简要）。

5、更换。检测到MOS管损坏后，更换时其周边的灌流电路的元件也必须全部更换，因为该MOS管的损坏也可能是灌流电路元件的欠佳引起MOS管损坏。即便是MOS管本身原因损坏，在MOS管击穿的瞬间，灌流电路元件也受到伤害，也应该更换。

离子交换柱的工作原理是什么？

阳、阴两种离子交换树脂，互相充分地混合在一个离子交换器内，同时进行阳、阴离子交换的设备。简称混床。所谓混床，就是把一定比例的阳、阴离子交换树脂混合装填于同一交换装置中，对流体中的离子进行交换、脱除。

离子交换层析法是从复杂的混合物中，分离性质相似大分子的方法之一，依据的原理是物质的酸碱性，极性，所带阴阳离子的不同。

基本原理：离子色谱的分离机理主要是离子交换，有3种分离方式，它们是高效离子交换色谱（HPIC）、离子排斥色谱 （HPIEC）和离子对色谱 （MPIC）。

混床么实际就是里面装满了阴阳树脂的圆柱形容器，柱身有玻璃钢、不锈钢、碳钢等材质，混床是混合离子交换柱的简称。装填方式都是上阴下阳，最底层是排水帽。

关键词：电阻的 电解电容 电阻 mos管 保护电阻 电容

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