关于实用三极管的信息

本文目录一览：

• 1、ULN2003里面的三极管是用来放大的还是作为开关实用呢
• 2、选用不同型号的三极管,对放大电路的工作点有什么影响
• 3、三极管的作用.特性.代号,是什么
• 4、三极管符号是什么？
• 5、三极管的功能？
• 6、三级管的放大作用具体的

ULN2003里面的三极管是用来放大的还是作为开关实用呢

ULN2003是专门用来驱动小型继电器的弯桐三极管阵列电路，作为开关使用的。内部与COM端的二极管是作为继电器雹闹改源判的续流二极管使用的。

选用不同型号的三极管,对放大电路的工作点有什么影响

是有影响的，只是大小问题。

影响的大小与偏置的形式没有多大关系，而是与工作点稳定电路有极大关系，如果没有工作点稳定电路，更换三极管后，工羡升作点可能会改变很多，因为不同的三极管，放大倍数是不同的，漏电是不同的，其它参数也是不同的。别说三极管，其它元件参数及温度和电压的变化都会影响工作点。而如果放大电路有性能优良的工作点稳定电路，则更换元件后，工作点的变化可忽略，所以实用的三极管放大侍派罩电路都应设老闹工作点自动稳定电路。

三极管的作用.特性.代号,是什么

晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。 半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管[font color=#000000]是电路中[/font]应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为塌源“Q”、“GB”等）表示。 半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。 在双极性晶体管中，发射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和漏极之间的电流。在模拟电路中，晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路； 在计算机电源中，主要用于开关电源。晶体管也应用于数字电路，主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存（RAM）和微处理器。晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，像是最大电压、最大电流、最大功率……，在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以藉由晶体管规格表或是Data Sheet得知。 晶体管在电路最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体团凯态管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。 晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性，主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程，进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。 虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，但是绝大多数的晶体管是和电阻、电容一起被孙正装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的成本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。 晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。 因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。

三极管符号是什么？

国外一般用宇母QR或Q表示，在国内一般用颤镇汪VT或V表示。

三极管（英语：Triode）是一个有放大器功能的真空管，在真空的玻璃外壳内有三个电极：包括一个加热的灯丝（或称阴极）、控制栅格及金属平板（阳极）。三极管是由李·德富雷斯特在1906年发明，是第一个电子放大器。

也是其他类型真空管如四极管、五极管的祖先。它的发明开创了电子时代，使无线电放大和长途电话成为可能。

李·德富雷斯特因为发明三极管，被誉为是电子学之父。现在的三极管只有一厘米左右的长度。 三极管曾被广泛应用于消费电子设备，如收音机和电视机。直到上世纪70年代被晶体管取代。目前，电子管主要用于无线电发射机和工业射频茄仔加热装置中的大功率RF功放。

所有三极管都有一个由灯丝加热并释放电子的热阴极电极，以及一个用于吸引电子的扁平金属板电极，它们之间有一个由丝网组成的网格，用于控制电流。它们被密封在一个玻璃容器内，空气已从该容器中抽出至大约 10 -9 atm的高真空。

由于灯丝最终会烧坏，因此灯管的使用寿命有限，并且被制成可更换的单元；电极连接到插入插座的端子销上。三极管的使用寿命对于小管约为 2000 小时，对于功率管约为 10000 小时。

应用

三极管是第一个非机械设备，以提供在音频和射频功率增益，以及由无线电实用。三极管用于放大器和振荡器。许多类型仅在低到中等频率和功率水平下使用。

大型旅则水冷三极管可用作无线电发射机的最终放大器，额定功率为数千瓦。特殊类型的三极管（“灯塔”管，元件之间的电容低）在微波频率下提供有用的增益。

真空管在大众销售的消费电子产品中已经过时，已被更便宜的基于晶体管的固态设备所取代。然而，最近，真空管已经卷土重来。三极管继续用于某些大功率射频放大器和发射器。虽然真空管的支持者声称它们在高端和专业音频应用等领域具有优势，但固态 MOSFET 具有相似的性能特征

三极管的功能？

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的灶蠢核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏。

发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前隐激陪者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电子流。

扩展资料：

晶体三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而铅携发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里。

三级管的放大作用具体的

三极管的放大作用

下面以NPN型三极管为例，来讨论三极管的放大作用。

图a所示的NPN三极管的结构，由于内部存在两个PN结，表面看来，似乎相当于两个二极管背靠背地串联在一起，如下左图所示，但是假设将两个单独的二极管如下右销汪图所示地连接起来，将会发现它们并不具有放大作用。为了使三极管实现放大，还必须由三极管的内部结构和外部所加电源的极性两方面的条件来保证。

从三极管的内部结构来看，主要有两个持点。第一，发射区进行高掺杂，因而其中的多数载流子浓度很高。NPN三极管的发射区为N型，（其中的多子是电子），所以电子的浓度很高。第二，基区做得很薄，通常只有几微米到几十微米，而且掺杂比较少，则基区中多子的浓度很低。NPN三极管的基区为P型，（其中的多子空穴）的浓度相对很低。

三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。

1．发射 由于发射结正向偏置，因而外加电场有利于多数载流子的扩散运动。又因为发射区的多子电子的浓度很高，于是发射区发射出大量的电子。这些电子越过发射结到达基区，形成电子电流。因为电子带负电，所以电子电流的方向与电子流动的方向相反，见图1.3.5(a)和(b)。与此同时，基区中的多子空穴也向发射区扩散而形成空穴电流，上述电子电流和空穴电流的总和就是发射极电流。由于基区中空穴的浓度比发射区中电子的浓度低得多，因此与电子电流相比，空穴电流可以忽略，可以认为，主要由发射区发射的电子电流所产生。

图1.3.5 三极管中载流子的运动和电流关系

(a)载流子的运动 (b)各极电流关系

2. 复合和扩散 电子到达基区后，因为基区为P型，其中的多子是空穴，所以从发射区扩散过来的电子和空穴产生复合运动而形成基极电流，基区被复合掉的空穴由外电源不断进行补充。但是，因为基区空穴的浓度比较低，而且基区很薄，所以，到达基区的电子与空穴复合的机会很少，因而基极电流比发射极电流小得多。大多数电子在基区中继续扩散，到达靠近集电结的一侧。

一、输人特性

当不变时，输入回路中的电流与电压之间的关系曲线称为输入特性，

，当=0时，从三极管的输入回路看，基极和发射极之间相当于两个PN结〔发射结和集电结)并联，如图(b)所示。所以，当b、e之间加上正向电压时，三极管的输入特性应为两个二极管并联后的正向伏安特性，见图中左边一条特性。

=0时三极管的输入回路

当＞0时，这个电压的极性将有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。如果＞，则三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，三极管处于放大状态。此时发射区发射的电子只有一小部分在基区与空穴复合，成为，大部分将集电极收集，成为。所以，与=0时相比，在同样的之下，基极电流将大大减小，结果输入特性将右移，见图1.3.8中右边一条特性。

当继续增大时，严格地说，输入特性应继续右移。但是，当大于某一数值(例如1V )以后，在一定的之下，集电极的反向偏置电压已足以将注入基区的电子基本上都收集到集电极，即使再增大，也不会减小很多。因此，大于某一数值以后，不同的各条输入特性十分密集，几乎重叠在—起，所以，常常用大丁1V时的一条输入特性(例如＝2V)来代表更高的情况。

在实际的放大电路中，三极管的一般都大于零，因而大于1V时的输入特性更有实用意义。

三极管的输入特性

二、输出特性

当不变时，输出回路中的电流与电压之间的关系曲线称为输出特性

在输出特性曲线上可以划分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。下面分别进行介绍。

三极管的输出特性

1. 截止区

一般将的区域称为截止区，在图中为＝0的一条曲线以下的部分此时发射结和集电结都反偏，此时也近似为零。由于管子的各极电流都基本上等于零，所以三极管处于截局斗饥止状想，没有放大作用。

其实当=0时，集电极回路的电流并不真正为零，而是有一个较小的穿透电流。一般硅三极管的穿透电流较小，通常小于1A，所以在输出持性曲线上无法表示出来。锗三极管的穿透电流较大，约为几十~几百微安。可以认为当发射结反向偏置时，发桐返射区不再向基区注入电子，则三极管处于截止状态。所以，在截止区，三极管的发射结和集电结部处于反向偏置状态。对于NPN三极管来说，此时0，0。

2．放大区

在放大区内，各条输出特性曲线比较平坦，近似为水平的直线，表示当一定时，的值基本上不随而变化。而当基极电流有一个微小的变化量时，相应的集电极电流将产生较大的变化最，比放大倍，即

这个表达式体现了三极管的电流放大作用。

在放大区，三极管的发时结正向偏置，集电结反向偏置。对于NPN三极管来说，＞0，而0。

3.饱和区

图1.3.9中靠近纵坐标的附近，各条输出特性曲线的上升部分属于三极管的饱和区，见图中纵坐标附近虚线以左的部分。在这个区域，不同值的各条特性曲线几乎重叠在—起，十分密集。也就是说，当较小时，管子的集电极电流基本上不随基极电流而变化，这种现象称为饱和。在饱和区，三极管失去了放大作用，此时不能用放大区中的来描述和的关系。

一般认为，当=，即＝0时，三极管达到临界饱和状态。当时称为过饱和。三极管饱和时的管压降用表示，一般小功率硅三极管的饱和管压降＜0.4V。

三极管工作在饱和区时，发射结和集电结都处于正向偏置状态。对与NPN三极管来说，0，0。

以上介绍了三极管的输入特性和输出特性。管子的特性曲线和参数是根据需要选用三极管的主要依据。各种型号三极管的特性曲线可从半导体器件手册查得。如欲测试某个管子的特性曲线，除了逐点测试以外，还可利用专用的晶体管特性图示仪，它能够在荧光屏上完整地显示三极管的特性曲线族。

三极管的主要参数

一、电流放大系数

三极管的电流放大系数是表征管子放大作用大小的参数。综合前面的讨论，有以下几个参数：

1. 共射电流放大系数

体现共射接法时三极管的电流放大作用。所谓共射接法指输入回路和输出回路的公共端是发射极，见图1.3.10(a)。

的定义为集电极电流与基极电流的变化量之比，即三极管的电流放大关系

(a)共射接法 (b)共基接法

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