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1、MOSFET 基本工作原理 通过改变栅源电压VGS来控制沟道的导电能力，从而控制漏极电流ID。因此它是一个电压控制型器件。转移特性反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 。
2、MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)场效应管工作原理基于控制一块金属-氧化物-半导体(MOS)结构中的电场来控制电流流动。电场由一个电压源(通常是控制电极)产生，通过改变这个电压来调节电流的流动。
3、MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
4、MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）是一种常用的电晶体管，其作为开关时工作原理如下：当MOSFET处于关断状态时，其中间的漏极与基极之间没有电流。
数据表有说明，CMOS的，电源电压7至5伏，比通常的CMOS范围窄，毕竟是大芯片。大规模集成电路看不到TTL的了。
单极器件指一种载流子导电，如MOS，场效应管，为电压控制电流；双极器件指两种载流子参与导电，如BJT，其为电流控制电流。IGBT工作时有两种载流子参与导电，因此是双极器件。但它是栅压控制电流，因此为电压控制。
集成电路又可分为双极型、单极型及双极一单极混合型三种。双极型集成电路内部主要采用二极管和三极管。单极型集成电路内部主要采用MOS场效应管。双极一单极混合型集成电路内部采用MOS和双极兼容工艺制成，因而兼有两者的优点。
1、mosfet是金属-氧化物半导体场效应晶体管。
2、金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
3、MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
4、金属氧化物半导体场效晶体管（简称：金氧半场效晶体管；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
5、金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
6、MOSFET：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
1、mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。
2、首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。
3、mos管用作了可双向导通的开关，工作在开关状态。
饱和区域。在饱和区域，mos管的输出电压基本上保持不变，而输出电流基本上由负载电阻决定，mos管的输入电压对输出电压和电流的影响较小，因此它被广泛用于放大器、开关和逻辑门等数字电路中。
在数字电路中工作在导通区或截止区，在模拟电路中三种状态都可能出现：导通区、放大区、截止区。
输出特性曲线中，场管的工作区域分成了三个部分：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区，也叫截止区（对应三极管的截止区）。
电力MOSFET的输出特性分为：（1）截止区（对应于GTR的截止区）；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。
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